[发明专利]负型感光性硅氧烷组合物、以及使用了其的固化膜和电子器件的制造方法

说明书

[目的]本发明提供一种负型感光性硅氧烷组合物，其可形成耐热性以及开裂极限膜厚优异的固化膜。[手段]本发明提供一种负型感光性硅氧烷组合物，其包含：含特定量硅烷醇的聚硅氧烷、特定的光碱产生剂颗粒、以及溶剂。硅烷醇的含有率利用FT‑IR测定。

技术领域

本发明涉及负型感光性硅氧烷组合物。另外，本发明也涉及使用了该组合物的固化膜和电子器件(device)的制造方法。

背景技术

在半导体器件和/或显示器中，设置了各种绝缘层。为了赋予半导体器件和/或显示器以优异的特性，人们要求这样的绝缘层具有绝缘性与耐热性。为了应对这样的要求，以往使用了SOG膜和/或由化学蒸镀法形成出的二氧化硅膜。

但是，由于这些膜不具有感光性，因此想要在绝缘膜表面形成图案时，则必需在绝缘层的表面利用光刻(lithography)而形成抗蚀图案，将该图案设为掩模而进行蚀刻处理。

作为避免这样的繁杂处理并且形成优异的绝缘膜的方法，提出了使用感光性硅氧烷组合物的方法。通过使用感光性硅氧烷组合物而形成绝缘膜，从而不需要上述那样的蚀刻等工序，因而可抑制制造成本。

但是，关于目前为止提出的由感光性硅氧烷组合物形成出的绝缘膜，在增厚了膜厚的情况下容易发生裂纹，另外从耐热性的观点考虑留有改良的余地。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-091815号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明想要解决上述那样的现有技术中应当改善的问题，想要提供一种感光性硅氧烷组合物，其可简便地形成膜厚为厚并且耐热性优异的固化膜。

用于解决课题的手段

本发明的负型感光性硅氧烷组合物包括一种负型感光性组合物，其包含(I)聚硅氧烷、(II)光碱产生剂、以及(III)溶剂，

所述聚硅氧烷是包含由以下的式(Ia)以及以下的式(Ib)表示的重复单元的聚硅氧烷，

在利用FT-IR法对前述聚硅氧烷进行了测定以及解析时，处于1100±100cm^-1的范围的归属于Si-O的峰的面积强度S1与处于900±100cm^-1的范围的归属于SiOH的峰的面积强度S2之比S2/S1为0.05～0.15，

式中，

R¹表示氢，1～3价的C_1～30的直链状、支链状或者环状的饱和或不饱和的脂肪族烃基，或者1～3价的C_6～30的芳香族烃基，

在前述脂肪族烃基以及前述芳香族烃基中，1个以上的亚甲基被氧基、酰亚胺或者羰基取代了或者非取代，1个以上的氢被氟、羟基、或者烷氧基取代了或者非取代，或者1个以上的碳被硅取代了或者非取代，

R¹为2价或3价的情况下，R¹将多个重复单元中所含的Si彼此进行连结；

所述光碱产生剂由以下的式(PBG-A)或者(PBG-B)表示，

式中，