[发明专利]半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜有效
申请号: | 201880077311.4 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN111418044B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 宫泽笑;早坂刚;川守崇司;须方振一郎;稻叶贵一;西户圭祐 | 申请(专利权)人: | 株式会社力森诺科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09J4/00;C09J7/30;C09J11/04;C09J11/06;C09J201/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;金鲜英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 临时 固定 固化 树脂 组合 材用膜 以及 层叠 | ||
本发明公开一种半导体装置的制造方法,其具备:准备工序,准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体;以及分离工序,对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
技术领域
本发明涉及一种半导体装置的制造方法、临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。
背景技术
在半导体装置的领域中,近年来,关于层叠有多个半导体元件的被称为SIP(System in Package,系统级封装)的封装的技术显著地发展。在SIP型的封装中,由于要层叠多个半导体元件,因此对半导体元件要求薄壁化。根据该要求,在半导体元件中,将集成电路组装入半导体构件(例如,半导体晶片)中后,实施例如对半导体构件的背面进行磨削的薄壁化、对半导体晶片进行切割的单片化等加工处理。关于这些半导体构件的加工处理,通常利用临时固定材层将半导体构件临时固定于支撑构件上来进行(例如,参照专利文献1~3)。
实施了加工处理的半导体构件隔着临时固定材层而与支撑构件牢固地固定。因此,在半导体装置的制造方法中,要求能够防止半导体构件的损伤等,并且能够将加工处理后的半导体构件从支撑构件分离。在专利文献1中,作为这样的将半导体构件分离的方法,公开了一种对临时固定材层一边加热一边进行物理分离的方法。另外,在专利文献2、3中公开了一种通过对临时固定材层照射激光(相干光)而将半导体构件分离的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-126803号公报
专利文献2:日本特开2016-138182号公报
专利文献3:日本特开2013-033814号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在专利文献1所公开的方法中,存在半导体晶片产生由热历程引起的损伤等,使得成品率降低的问题。另一方面,在专利文献2、3所公开的方法中,存在如下问题:由于激光为相干光,因此照射面积窄,需要对半导体构件整体反复照射多次,因此花费时间;由于控制激光的焦点来进行扫描照射,因此工序变得复杂;以及需要高价的装置。
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的,其目的在于提供一种能够容易地将临时固定的半导体构件从支撑构件分离的半导体装置的制造方法。另外,本发明的目的在于提供作为临时固定材有用的临时固定材用固化性树脂组合物、临时固定材用膜以及临时固定材用层叠膜。
用于解决课题的方法
本发明的一方面提供一种半导体装置的制造方法,其具备:准备工序,准备依次层叠有支撑构件、吸收光而产生热的临时固定材层和半导体构件的层叠体;以及分离工序,对层叠体中的临时固定材层照射非相干光而将半导体构件从支撑构件分离。
分离工序中的非相干光的光源可以为氙气灯。分离工序中的非相干光可以为至少包含红外光的光。
分离工序可以为隔着支撑构件对临时固定材层照射非相干光的工序。
作为一个方式,临时固定材层也可以含有固化性树脂组合物的固化物,所述固化性树脂组合物包含吸收光而产生热的导电性粒子。
导电性粒子的含量相对于固化性树脂组合物的除导电性粒子以外的成分的总量100质量份可以为30~90质量份。
固化性树脂组合物可以进一步包含热塑性树脂。固化性树脂组合物也可以进一步包含聚合性单体和聚合引发剂。
作为另一个方式,临时固定材层可以具有吸收光而产生热的光吸收层、和包含固化性树脂成分的固化物的树脂固化物层。
光吸收层可以是通过溅射或真空蒸镀而形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造