[发明专利]粘合性层叠体、粘合性层叠体的使用方法、以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201880077482.7 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN112203840B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 中山武人;冈本直也;阿久津高志 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | B32B7/06 | 分类号: | B32B7/06;B32B27/00;C09J7/20;C09J7/35;C09J7/40;C09J201/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王利波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 粘合 层叠 使用方法 以及 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种粘合性层叠体,其具备:
热膨胀性的粘合片(I)、以及
粘合片(II),
所述热膨胀性的粘合片(I)具有由第1粘合剂层(X11)及第2粘合剂层(X12)夹持基材(Y1)的结构,基材(Y1)具有热膨胀性基材层(Y1-1),且该热膨胀性基材层(Y1-1)中包含膨胀起始温度(t)为60~270℃的热膨胀性粒子,该热膨胀性基材层(Y1-1)在23℃下的储能模量E’(23)为1.0×108Pa~5.0×1012Pa,
所述粘合片(II)具有基材(Y2),且在基材(Y2)的一个表面侧具有粘合剂层(X2),
所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的,
通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理,在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。
2.根据权利要求1所述的粘合性层叠体,其中,通过所述加热处理,在界面P发生分离时的剥离力F1为0~2000mN/25mm。
3.根据权利要求1或2所述的粘合性层叠体,其中,在进行所述加热处理之前,在界面P发生分离时的剥离力F0为100mN/25mm以上、且大于剥离力F1。
4.根据权利要求3所述的粘合性层叠体,其中,剥离力F1与剥离力F0之比F1/F0为0~0.9。
5.根据权利要求1或2所述的粘合性层叠体,其中,基材(Y1)的表面的探针粘性值低于50mN/5mmφ。
6.根据权利要求1或2所述的粘合性层叠体,其中,
所述粘合性层叠体具有粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的结构。
7.根据权利要求6所述的粘合性层叠体,其中,第2粘合剂层(X12)的粘合力高于第1粘合剂层(X11)的粘合力。
8.根据权利要求1或2所述的粘合性层叠体,其中,基材(Y1)在一个表面侧具有热膨胀性基材层(Y1-1),在另一个表面侧具有非热膨胀性基材层(Y1-2)。
9.根据权利要求8所述的粘合性层叠体,其具有在热膨胀性基材层(Y1-1)的表面侧层叠有第1粘合剂层(X11)、且在非热膨胀性基材层(Y1-2)的表面侧层叠有第2粘合剂层(X12)的结构。
10.根据权利要求1或2所述的粘合性层叠体,其中,
粘合片(I)在基材(Y1)的两面侧分别具有第1粘合剂层(X11)和第2粘合剂层(X12),所述第1粘合剂层(X11)是包含热膨胀性粒子的热膨胀性粘合剂层,所述第2粘合剂层(X12)是非热膨胀性粘合剂层,
所述粘合性层叠体是粘合片(I)的第1粘合剂层(X11)与粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的。
11.根据权利要求10所述的粘合性层叠体,其中,作为非热膨胀性粘合剂层的第2粘合剂层(X12)中的所述热膨胀性粒子的含量低于1质量%。
12.一种粘合性层叠体的使用方法,该方法具有下述工序(1)~(3):
·工序(1):通过权利要求1~11中任一项所述的粘合性层叠体将加工检查对象物固定于支撑体,并将所述支撑体、所述粘合性层叠体及所述加工检查对象物依次层叠的工序;
·工序(2):对所述加工检查对象物实施加工和/或检查的工序;
·工序(3):通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理,在所述粘合性层叠体的粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离的工序。
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