[发明专利]有机硅系接着片、含有其的积层体、半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201880077845.7 申请日: 2018-12-19
公开(公告)号: CN111433307A 公开(公告)日: 2020-07-17
发明(设计)人: 户田能乃;須藤学 申请(专利权)人: 陶氏东丽株式会社
主分类号: C09J7/35 分类号: C09J7/35;B32B27/00;B81C3/00;C09J11/06;C09J183/04;C09J183/05;C09J183/07;H01L21/52
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 徐舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机硅 接着 含有 积层体 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

课题本发明提供一种表面具有微粘着性,能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上,并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、使用其的半导体装置、以及半导体装置的制造方法。解决方法加热前接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式为界面剥离,在50至200℃的范围加热所述接着面后,所述接着面从其它非粘着性基材上剥离的剥离模式变为凝集破坏,并具有永久接着性的有机硅系接着片;对于所述半导体用晶片粘结膜等的使用;以及具有通过所述有机硅系接着片的固化物将半导体芯片或半导体用晶片固定至基材上的构造的MEMS装置等的半导体装置。

技术领域

本发明涉及一种表面具有微粘着性,能够将所切割的半导体芯片等容易地暂时固定至半导体基材上,并且通过二次固化形成对于被粘接体的永久接着性的有机硅系接着片、含有其的积层体、以及使用其的半导体装置(尤其包括MEMS装置)的制造方法。

背景技术

硅等半导体晶片经过在其表面形成多个电子电路的工艺、对形成有电子电路的半导体晶片的背面进行研磨的工艺、以将半导体晶片固定至基底膜的状态进行切断(切割),分割为各个具有电子电路的IC芯片的工艺、将所述IC芯片固定(粘晶)至模垫上的工艺、以及任意将所述芯片进行树脂封闭的工艺,形成半导体装置。此处,将半导体晶片切断后获得的IC芯片固定于模垫上的工艺中,透过接着剂将所述芯片固定至所述模垫(安装部)上。所述接着剂为液状时,接着剂会滴下/涂布至所述芯片搭载部或芯片自身的表面,出现这种液状接着剂的滴下时难以正确控制接着剂量,芯片较小时接着剂会从芯片上溢出,此外,芯片较大时接着剂可能会不足,因此实施有使用预先形成均匀厚度的干式片状接着剂将IC芯片固定至模垫上的方法。

例如,作为有机硅系接着片,本件申请人提出有专利文献1和专利文献2所述者。此外,作为改善半导体装置的生产劳动力、成本的目的,提出有专利文献3的切割粘晶用片。所述有机硅系接着片适用于通过加热将半导体芯片或半导体用晶片接着(以固定为目的的永久接着)至其安装部上的目的,并且在粘晶工艺前的切割工艺中,能够在将半导体晶片固定至基底膜上的阶段将接着剂层预先供给至半导体晶片表面,形成具有正确对应芯片表面的形状的接着剂层的芯片,因此粘晶工艺时的操作作业性以及半导体装置的生产效率等优异。

另一方面,在半导体装置的领域中使用微机电系统(MEMS)技术实现小型且高集成的传感器等MEMS装置不断普及,与以往相比,半导体封装不断实现小型化,通过切割获得的半导体芯片不断实现超小型化、轻量化,故而人们要求一种封装内配置有大量半导体芯片的高精密构造。

然而,这种超小型化的MEMS装置中使用以往的有机硅系接着片时,有时会由于将具备接着片层的半导体芯片配置至模垫上后进行粘晶工艺的期间内产生的振动,使模垫上的半导体芯片发生错位。尤其是,MEMS装置中,由于要将大量半导体芯片依序配置至同一封装内,所以难以完全抑制这种振动,必须在芯片配置后确认配置并进行再调整等,存在制造良率和生产效率降低至问题。

因所述振动产生的错位的问题可通过利用加热压接(Press Heat)等将具备接着片的各芯片依序进行永久接着(=加热压接固定)来解决。然而,所述工艺中各芯片必须实施至少数秒钟的加热压接操作,因此具备大量半导体芯片的MEMS装置有时会出现生产效率明显降低且压接操作导致装置自身损伤的情形。并且,有时会因难以取下暂时固定的半导体芯片,而使装置的循环利用性和修理性会变差。因此,众所周知的有机硅系接着片尤其在MEMS装置的制造的工业利用方面存在限制。

先前技术文献

〔专利文献〕

专利文献1:日本特开平11-12546号公报(专利3420473号)

专利文献2:日本特开2000-80335号公报(专利3420510号)

专利文献3:日本特开2005-183855号公报(专利4536367号)

发明内容

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