[发明专利]使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理在审
申请号: | 201880078077.7 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN111433896A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 杨晓晅;仲華;吕新亮 | 申请(专利权)人: | 马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 刘文娜;郗名悦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 有机 自由基 表面 处理 | ||
1.一种用于处理工件的方法,所述工件包括半导体材料,所述方法包括在所述工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺,所述基于有机自由基的表面处理工艺包括:
使用在第一腔室中诱导的等离子体生成一种或多种核素;
过滤通过所述等离子体生成的所述一种或多种核素以形成第一混合物;
过滤后将一种或多种烃分子注入至所述第一混合物中以形成第二混合物,所述第二混合物包括一种或多种有机自由基;以及
在第二腔室中将所述半导体材料暴露于所述第二混合物,其中所述第二腔室与所述第一腔室分开。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述半导体材料包括硅。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述半导体材料包括硅锗。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种有机自由基通过解离所述第一腔室中的所述一种或多种烃分子生成。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n+2的化学式,其中n为大于或等于1,且小于或等于10。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种烃分子具有CnH2n的化学式,其中n为大于或等于2,且小于或等于10。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种有机自由基通过所述一种或多种烃分子与所述核素的反应生成。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种有机自由基包括CH3自由基。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述基于有机自由基的表面处理工艺导致半导体材料的至少一部分的甲基化。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种核素通过在所述第一腔室中的工艺气体中诱导的等离子体生成。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述工艺气体为惰性气体。
12.根据权利要求11所述的方法,其中所述惰性气体为氦。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述工艺气体包括氢气并且所述核素包括氢自由基。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述核素包括使用加热丝生成的一种或多种氢自由基。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述一种或多种有机自由基使用分子的热解或UV辅助分子解离生成。
16.根据权利要求10所述的方法,其中所述方法包括使用将第一腔室与第二腔室分开的分离栅过滤一种或多种离子。
17.根据权利要求1所述的方法,其中所述工件包括含硅介电层。
18.根据权利要求17所述的方法,其中所述基于有机自由基的表面处理工艺在含硅介电层上进行以调节所述含硅介电层的表面润湿角。
19.根据权利要求18所述的方法,其中在进行所述基于有机自由基的表面处理工艺之后,所述方法包括在所述工件上进行湿法工艺。
20.根据权利要求18所述的方法,其中在进行基于有机自由基的表面处理工艺之前,所述方法包括在所述工件上进行湿法工艺。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造