[发明专利]使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理

说明书

提供用于工件的表面处理的工艺。在一个示例性实施中，方法可包括在工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺。基于有机自由基的表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃分子与核素混合以形成混合物。混合物可包括一种或多种有机自由基。表面处理工艺可包括在第二腔室中将工件上的半导体材料暴露于混合物。

优先权声明

本申请要求2018年4月20日提交的名称为“Surface Treatment Of Silicon OrSilicon Germanium Surfaces Using Organic自由基(使用有机自由基对硅或硅锗表面的表面处理)”的美国申请序列号15/958,560的优先权，其要求2017年10月3日提交的名称为“Surface Treatment of Silicon and Carbon Containing Films by Remote Plasmawith OrganicPrecursors(用有机前体通过远程等离子体对含硅和碳的膜的表面处理)”的美国临时申请序列号62/567,295的优先权，其为了所有目的通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及使用有机自由基表面处理工件。

背景技术

等离子体处理在半导体工业中广泛用于半导体晶片和其他基材的沉积、刻蚀、辅助去胶(resist removal)，以及相关工艺。等离子体源(例如，微波、ECR、感应等等)通常用于等离子体处理以产生高密度的等离子体和反应性核素用于处理基材。使用等离子干式剥离(dry strip)工艺已经实现植入后的光刻胶、刻蚀后的残留物和其他掩膜和/或材料的去除。在等离子体干式剥离工艺中，来自远程等离子体腔室中生成的等离子体的中性颗粒通过分离栅进入处理腔室以处理如半导体晶片的基材。

发明内容

本公开的实施方式的方面和优点将在以下描述中部分地陈述，或可以从描述中得知，或可以通过实施方式的实践得知。

本公开的一个示例性方面涉及用于处理工件的方法。工件可包括半导体材料。在一个示例性实施中，方法可包括在工件上进行基于有机自由基的表面处理工艺。基于有机自由基的表面处理工艺可包括在第一腔室中生成一种或多种核素。表面处理工艺可包括将一种或多种烃分子与核素混合以形成混合物。混合物可包括一种或多种有机自由基。表面处理工艺可包括在第二腔室中将工件上的半导体材料暴露于混合物。

本公开的其他示例性方面涉及用于工件的表面处理的系统、方法和仪器。

参考以下描述和所附权利要求，各种实施方式的这些和其他特征、方面和优点将变得更好理解。并入该说明书中并构成该说明书的部分的附图阐明了本公开的实施方式，并且与描述一起用来解释相关原理。

附图说明

涉及本领域技术人员的实施方式的详细讨论在参照了所附附图的说明书中陈述，其中：

图1描述了含硅和/或硅锗材料的示例性工件结构；

图2描述了工件上示例性高纵横比结构；

图3描述了根据本公开的示例性实施方式的示例性等离子体处理仪器；

图4描述了根据本公开的示例性实施方式的示例性表面处理工艺的流程图；

图5描述了根据本公开的示例性实施方式的示例性表面处理工艺的流程图；

图6描述了根据本公开的示例性实施方式在表面处理工艺期间示例性等离子体后气体注入；

图7描述了根据本公开的示例性实施方式的氢自由基的示例性源；

图8描述了根据本公开的示例性实施方式的示例性方法的流程图；

图9描述了根据本公开的示例性实施方式的示例性方法的流程图；