[发明专利]处理半导体装置结构的方法及相关系统

权利要求书

1.一种处理半导体装置结构的方法，其包括：

产生气体的等离子体，其中所述气体的等离子体包括氢基气体及氟基气体，所述氢基气体包括所述气体的体积百分比40vol％和75vol％之间，所述氢基气体包括氢气H₂；

将其上定位有半导体装置结构的静电吸盘冷却到-30℃或更低的温度，所述半导体装置结构包括包含至少一种电介质材料的交替材料层；

将具有非正弦波形的低频射频施加到所述静电吸盘；及

利用所述等离子体且在冷却所述静电吸盘及施加所述低频射频的同时，在所述半导体装置结构中形成高纵横比开口；

其中所述高纵横比为至少50:1。

2.根据权利要求1所述的方法，其中产生气体的等离子体包括产生包括约50vol％氢基气体的气体的等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中产生气体的等离子体包括产生包括二氟甲烷CH₂F₂、所述氢气H₂及三氟化氮NF₃的气体的等离子体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中产生气体的等离子体包括产生包括甲烷CH₄、所述氢气H₂及三氟化氮NF₃的气体的等离子体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中产生气体的等离子体包括产生包括所述氢气H₂及四氟化碳CF₄的气体的等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中产生气体的等离子体包括产生包括羰基硫COS、溴化氢HBr、甲烷CH₄、八氟环丁烷C₄F₈、氟甲烷CH₃F、所述氢气H₂、三氟化氮NF₃及三氟碘甲烷CF₃I的气体的等离子体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中冷却静电吸盘包括将所述静电吸盘冷却到-60℃或更低的温度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置结构包括所述至少一种电介质材料及另一电介质材料的交替层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体装置结构包括所述至少一种电介质材料及导电材料的交替层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种电介质材料包括氧化硅。

11.一种处理半导体装置结构的方法，其包括：

产生气体的等离子体，其中所述气体的等离子体包括在所述等离子体的40vol％至90vol％的范围之间的氢基气体，所述氢基气体包括氢气H₂；

将其上定位有半导体装置结构的静电吸盘冷却到-30℃或更低的温度，所述半导体装置结构包括包含至少一种电介质材料的交替材料层；

将具有非正弦波形的低频射频施加到所述静电吸盘；及

利用所述等离子体且在冷却所述静电吸盘及施加所述低频射频的同时，在所述半导体装置结构中形成高纵横比开口；

其中所述高纵横比为至少50:1。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括组合多个正弦波形以产生具有所述非正弦波形的所述低频射频。

13.根据权利要求12所述的方法，其中组合多个正弦波形以产生所述低频射频包括组合基频及所述基频的至少两个谐频。

14.根据权利要求12所述的方法，其中组合多个正弦波形以产生所述低频射频包括至少组合基频、所述基频的三次谐频及所述基频的五次谐频。