[发明专利]基板支承构件、基板处理装置以及基板输送装置

说明书

用于支承基板的基板支承构件，其具有：导电部，其具有导电性；以及电感部，其设于该导电部的外侧，在该导电部形成有与该基板接触并支承该基板的接触支承部，该导电部的隔着该电感部与该接触支承部相反的一侧直接地或间接地接地。

技术领域

(相关申请的相互参照)

本申请基于2017年12月21日在日本提出申请的日本特愿2017-244724号主张优先权，将其内容引用于此。

本发明涉及在基板处理装置中在载置台上进行基板的交接等时用于支承基板的基板支承构件、以及使用该基板支承构件的基板处理装置、基板输送装置。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺的光刻工序中，进行涂布处理，例如在作为基板的半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)上涂布规定的涂布液而形成防反射膜、抗蚀膜等涂膜。作为该涂布液的涂布处理方法，广泛使用所谓的旋涂法，即，从喷嘴向旋转中的晶圆的中心部供给涂布液，利用离心力使该涂布液在晶圆上扩散从而在晶圆上形成涂布膜。

在该旋涂法中，由于在供给涂布液时使晶圆旋转，因此在涂布液和晶圆之间产生旋转摩擦，在该旋转摩擦的影响下，有时会产生静电。像这样在晶圆处理中产生静电时，在晶圆上瞬间流过过大电流，再加上随着近年来的半导体集成电路的微细化而导致ESD(静电放电：Electro Static Discharge)耐性的降低，有可能产生形成在晶圆上的氧化膜的破坏、接合部的破坏、配线膜的熔断等问题。

为了防止发生这样的因静电所引起的问题，例如在专利文献1中记载了通过使晶圆、与该晶圆接触的输送机构、处理机构经由规定值的电阻或具有规定的电阻值的材料接地来进行电荷消除。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-243364号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在晶圆上产生的ESD的电流波形存在至少两种。

一种为如下电流波形：放电电荷量少，但在短时间内(例如数ns以下)流过具有陡峭峰值的电流，由于时间常数小，因此ESD保护元件(电阻、二极管、晶体管等)无法响应，在作为保护对象的内部电路中产生急剧的电位变化，即使未产生例如所述的氧化膜的破坏或完全破坏，也有可能成为潜在的功能不良的原因。

另一种为如下电流波形：放电电荷量多，长时间(例如100ns左右)流过大电流，为ESD保护元件能够充分响应的时间常数，但由于大电流向ESD保护元件流过而产生焦耳热，有可能因热破坏而产生所述的接合部的破坏、配线膜的熔断。

如专利文献1所记载的那样，若使晶圆、与该晶圆接触的输送机构、处理机构经由规定值的电阻或具有规定的电阻值的材料接地，则电阻值越大越能够限制ESD电流，但有可能导致晶圆上的电荷未充分泄漏的晶圆被输送向下一个工序而产生不良状况。

本发明是鉴于该点而完成的，其目的在于限制ESD电流，并且使晶圆上的电荷容易泄漏，且防止电特性不良的产生。

用于解决问题的方案

为了达成所述目的，本发明的一技术方案为基板支承构件，其用于支承基板，该基板支承构件具有：导电部，其具有导电性；以及电感部，其设于所述导电部的外侧，在所述导电部形成有与所述基板接触并支承所述基板的接触支承部，所述导电部的隔着所述电感部与所述接触支承部相反的一侧直接地或间接地接地。

发明的效果