[发明专利]具有厚壳包覆的稳定INP量子点及其制造方法在审
| 申请号： | 201880081128.1 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111492036A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | C·伊彭;I·詹拉普兰特;阚世海;王春明;郭文卓;Y·A·乔;E·R·唐纳 | 申请（专利权）人： | 纳米系统公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;C09K11/62;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李勇;吕小羽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 厚壳包覆 稳定 inp 量子 及其 制造 方法 | ||
1.一种模制品，所述模制品包含多层纳米结构，所述多层纳米结构包含核和至少两个壳，其中所述壳中的至少两个包含不同的壳材料，并且其中所述壳中的至少一个的厚度在0.7nm至3.5nm之间。
2.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品为发光二极管。
3.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品表现出约6％至约20％之间的外量子效率(EQE)。
4.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品表现出约8％至约20％之间的EQE。
5.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品在7伏下具有约3000cd/m2至约6000cd/m2之间的光亮度。
6.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品在7伏下具有约3500cd/m2至约4500cd/m2之间的光亮度。
7.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品具有约10％至约50％之间的固态量子产率。
8.根据权利要求1所述的模制品，其中所述模制品具有约30％至约45％之间的固态量子产率。
9.一种模制品，所述模制品包含多层纳米结构，所述多层纳米结构包含核和至少两个壳，其中所述壳中的至少两个包含不同的壳材料，其中所述壳中的至少一个包含约2至约10个壳材料单层，并且其中所述纳米结构具有约1.0至约3.0之间的归一化光密度。
10.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品为发光二极管。
11.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品表现出约6％至约20％之间的EQE。
12.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品表现出约8％至约20％之间的EQE。
13.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品在7伏下具有约3000cd/m2至约6000cd/m2之间的光亮度。
14.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品在7伏下具有约3500cd/m2至约4500cd/m2之间的光亮度。
15.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品具有约10％至约50％之间的固态量子产率。
16.根据权利要求9所述的模制品，其中所述模制品具有约30％至约45％之间的固态量子产率。
17.一种纳米结构模制品，所述纳米结构模制品包含：
(a)第一阻挡层；
(b)第二阻挡层；和
(c)在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的纳米结构层，其中所述纳米结构为包含核和至少两个壳的多层纳米结构，其中所述壳中的至少一个包含约2至约10个的壳材料单层，并且其中所述纳米结构具有约1.0至约3.0之间的归一化光密度。
18.根据权利要求17所述的纳米结构模制品，所述纳米结构模制品还包含空穴注入材料。
19.根据权利要求17所述的纳米结构模制品，所述纳米结构模制品还包含含有聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)的空穴注入材料。
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