[发明专利]用含金属的顶涂层对材料膜层进行构图以增强极紫外光刻(EUV)的感光度

权利要求书

1.一种光刻构图方法，包括：

在半导体衬底上形成多层构图材料膜叠层，所述构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；

在所述抗蚀剂层上形成含金属的顶涂层；

使所述多层构图材料膜叠层暴露于通过所述含金属的顶涂层的构图辐射，以

在所述抗蚀剂层中形成期望的图案；

去除所述含金属的顶涂层；

对形成在所述抗蚀剂层中的所述图案显影；

根据所述显影的图案蚀刻至少一层底层；以及

去除所述抗蚀剂层的剩余部分；

其中在所述抗蚀剂层上形成所述含金属的顶涂层包括利用从所述抗蚀剂层的自分离工艺形成所述含金属的顶涂层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述构图材料膜叠层的所述一个或多个附加层包括以下至少之一：

硬掩模层；以及

有机平坦化层。

3.如权利要求2所述的方法，其中根据所述显影的图案蚀刻至少一层底层包括蚀刻所述硬掩模层。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述抗蚀剂层上形成所述含金属的顶涂层包括利用沉积工艺在所述抗蚀剂层上形成所述含金属的顶涂层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，用于形成所述含金属的顶涂层的所述沉积工艺包括原子层沉积工艺。

6.如权利要求4所述的方法，其中，用于形成所述含金属的顶涂层的所述沉积工艺包括旋涂工艺。

7.如权利要求1所述的方法，其中利用从所述抗蚀剂层的自分离工艺形成所述含金属的顶涂层包括：

在用于形成所述抗蚀剂层的抗蚀剂混合物中提供自分离材料；

利用所述抗蚀剂混合物以形成所述抗蚀剂层；以及

对所述抗蚀剂层进行指定的工艺，以使所述自分离材料从所述抗蚀剂层自分离，从而形成所述含金属的顶涂层。

8.如权利要求7所述的方法，其中使所述自所述分离材料从所述抗蚀剂层自分离以形成所述含金属的顶涂层的指定工艺包括施加后烘烤工艺。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的顶涂层包括至少一种过渡金属，并且所述至少一种过渡金属包括铪(Hf)、锆(Zr)、钽(Ta)、钨(W)、铬(Cr)、钴(Co)、铁(Fe)和铂(Pt)中的至少一种。

10.如权利要求1的方法，其中所述含金属的顶涂层包含至少一种后过渡金属，并且所述至少一种后过渡金属包含锡(Sn)。

11.如权利要求1的方法，其中所述含金属的顶涂层还包含至少一种准金属，并且所述至少一种准金属包含锑(Sb)。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述含金属的顶涂层可溶于用于对在所述抗蚀剂层中形成的图案显影的显影剂溶液中。

13.如权利要求1所述的方法，其中去除所述含金属的顶涂层包括作为对在所述抗蚀剂层中显影所述图案的一部分，去除所述含金属的顶涂层。

14.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的多层构图材料膜叠层，所述构图材料膜叠层包括在一个或多个附加层上形成的抗蚀剂层；以及

在所述抗蚀剂层上形成的含金属的顶涂层。

15.如权利要求14所述的半导体结构，其中所述含金属的顶涂层可溶于用于对在所述抗蚀剂层中形成的图案显影的显影剂溶液中。

16.一种含金属的材料，其被配置为形成如权利要求14所述的半导体结构的含金属的顶涂层，所述含金属的材料被配置为通过在所述抗蚀剂层上沉积以及从所述抗蚀剂层自分离两者之一形成所述含金属的顶涂层。