[发明专利]封装膜

权利要求书

1.一种封装膜，包括封装层、金属层和保护层，其中所述保护层具有大于5μm且50μm或更小的厚度并且包含固化之后的玻璃化转变温度为0℃或更高的树脂组分，

其中所述金属层的热导率为50W/mK或更大，

其中所述树脂组分包含可固化低聚物和可固化单体，并且所述可固化单体包含脂环族环氧树脂，

其中所述可固化低聚物和所述可固化单体分别以15重量份至35重量份和10重量份至40重量份的量包含在内，

其中所述保护层的厚度比所述金属层的厚度更薄，

其中所述保护层在25℃下的拉伸弹性模量在0.01MPa至1000MPa的范围内，

其中所述树脂组分的固化之后的玻璃化转变温度在50℃至200℃的范围内，以及

其中所述可固化低聚物的重均分子量在400g/mol至10000g/mol的范围内，并且所述可固化单体的重均分子量小于400g/mol。

2.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层形成为单层或者两个或更多个层的多层。

3.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包含固化之后的玻璃化转变温度低于0℃的封装树脂。

4.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包含吸湿剂。

5.根据权利要求4所述的封装膜，其中所述吸湿剂为水分反应性吸附剂。

6.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包含多官能可活性能量射线聚合的化合物。

7.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述金属层包含以下的任一者：金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氧氮化物、金属氧硼化物及其组合。

8.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述金属层包含以下的任一者：铁、铝、铜、镍、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化钽、氧化锆、氧化铌及其组合。

9.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述树脂组分为热固性树脂、光固化树脂或双固化树脂。

10.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述树脂组分包含在其分子结构中具有环状结构的环氧树脂。

11.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述保护层包含引发剂或固化剂。

12.一种有机电子器件，包括：基底；形成在所述基底上的有机电子元件；和用于封装所述有机电子元件的整个表面的根据权利要求1至11中任一项所述的封装膜。

13.一种用于制造有机电子器件的方法，包括将根据权利要求1至11中任一项所述的封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以覆盖所述有机电子元件的步骤。