[发明专利]用于确定体积和/或质量流率的方法

权利要求书

1.一种用于确定在管(20)中流动的介质(M)的体积和/或质量流率的方法，其中，流体(F)的密度和/或粘度借助于MEMS传感器芯片(30)来确定，其中在所述管(20)中流动的所述介质(M)至少部分流过所述MEMS传感器芯片(30)的测量通道(31)以确定所述流体(F)的密度和/或粘度，并且其中所述介质(M)的体积和/或质量流率借助于跨越所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)检查到的压降|p2-p1|和所述MEMS传感器(30)确定的密度和/或粘度来确定，与介质无关，

其中，所述MEMS传感器芯片包括可振荡单元，所述可振荡单元的振荡行为被检查，以便确定所述流体的所述密度和/或所述粘度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)以下述方式被连接到所述管(20)：所述介质(M)完全流过所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)，使得所述压降|p2-p1|基本上由所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)生成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，孔板(21)以下述方式被引入所述管中：所述介质平行地流过所述孔板和所述MEMS传感器芯片的所述测量通道，且所述压降(|p2-p1|)由引入所述管(20)中的所述孔板(21)和所述介质部分地流过的所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)生成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述孔板(21)和所述测量通道(31)以下述方式互相匹配：流过所述测量通道(31)的所述介质(M)与流过所述孔板(21)的所述介质(M)之间的流量比被设置为小于1:20。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述孔板(21)和所述测量通道(31)以下述方式互相匹配：流过所述测量通道(31)的所述介质(M)与流过所述孔板(21)的所述介质(M)之间的流量比被设置为小于1:100。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述孔板(21)和所述测量通道(31)以下述方式互相匹配：流过所述测量通道(31)的所述介质(M)与流过所述孔板(21)的所述介质(M)之间的流量比被设置为小于1:500。

7.一种用于确定在管(20)中流动的介质(M)的体积和/或质量流率(1)的设备，至少包括：

-MEMS传感器芯片(30)，所述MEMS传感器芯片(30)具有测量通道(31)，所述测量通道(31)连接到所述管(20)从而以下述方式确定所述介质(M)的密度和/或粘度：所述介质(M)至少部分地流过所述测量通道(31)，

-压差测量装置(40)，所述压差测量装置(40)用于检查跨越所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)的压降|p2-p1|，和

-评估单元(50)，所述评估单元(50)被设置用于基于所述压差测量装置确定的压降|p2-p1|以及由所述MEMS传感器芯片(30)确定的密度和/或粘度来确定所述介质(M)的体积和/或质量流率，与介质无关，

其中，所述MEMS传感器芯片包括可振荡单元，所述可振荡单元的振荡行为被检查，以便确定流体的所述密度和/或所述粘度。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述MEMS传感器芯片(30)以下述方式被连接到所述管(20)：所述介质(M)完全流过所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)，使得压降|p2-p1|基本上由所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)生成，并且所述压差测量装置(40)被进一步设计用于检查跨越所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)的压降。

9.根据权利要求7所述的设备，进一步包括孔板(21)，所述介质(M)流过所述孔板(21)，其中，所述孔板(21)和所述MEMS传感器芯片(30)的所述测量通道(31)以下述方式被引入所述管(20)中：所述介质(M)流过所述孔板(21)和所述测量通道(31)。