[发明专利]用于确定体积和/或质量流率的方法有效
申请号: | 201880081724.X | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN111566458B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 克里斯托夫·胡伯;帕特里克·赖特 | 申请(专利权)人: | 特鲁达因传感器股份有限公司 |
主分类号: | G01F1/88 | 分类号: | G01F1/88;G01F1/50;G01F1/36;G01F5/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 穆森;戚传江 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 确定 体积 质量 方法 | ||
本发明涉及一种用于确定在管(20)中流动的介质(M)的体积和/或质量流率的方法,其中,流体(F)的密度和/或粘度借助于MEMS传感器芯片(30)来确定,其中在管(20)中流动的介质(M)至少部分流过MEMS传感器芯片(30)的测量通道(31),以确定流体(F)的密度和/或粘度,且其中介质(M)的体积和/或质量流率借助于跨越MEMS传感器芯片(30)的测量通道(31)检查到的压降|p2‑p1|和MEMS传感器(30)确定的密度和/或粘度来确定,与介质无关。
技术领域
本发明涉及一种用于确定在管中流动的介质的体积和/或质量流率的方法,还涉及一种用于确定在管中流动的介质的体积和/或质量流率的设备。
背景技术
用于根据差压原理确定体积流率的设备本身是已知的。例如,此处孔板被用作有效的压力设置设备,并且检查横跨孔板的压差。测量本身需要使用差压测量装置和材料的特征值,尤其是粘度、密度和绝热指数的知识。用于此的细节在2004年ISO 5167-1标准和2003年2:2003标准中限定。
该方法的缺点在于体积流率的测量与介质的材料值有关(与介质有关),因此必须其必须已知。
发明内容
因此本发明的目的在于对该缺点进行补救。
通过根据权利要求1所述的方法以及根据权利要求5所述的设备,该目标通过本发明实现。
为了确定在管中流动的介质的体积和/或质量流率,根据本发明的方法提出了借助于MEMS传感器芯片来确定流体的密度和/或粘度,其中在管中流动的介质至少部分流经MEMS传感器芯片的测量通道,以确定流体的密度和/或粘度,并且其中,介质的体积和/或质量流率借助于跨越MEMS传感器芯片的测量通道检查到的压降|p2-p1|,以及MEMS传感器确定的密度和/或粘度来确定,与介质无关。
MEMS传感器芯片是微机电系统,其在计量学中用于计量性检查一个或多个测量值。这些MEMS传感器芯片通常使用半导体技术中的常见方法,诸如蚀刻工艺、氧化方法、注入方法、键合方法和/或涂层方法,使用单层或多层晶片,尤其是硅基晶片来生产。
用于确定流动介质,尤其是液体或气体的测量值的MEMS传感器芯片通常具有至少一个测量通道,该测量通道的内部形成介质在测量期间流过的线路。
根据本发明,现提出,与根据差压原理的常规体积流率测量相并行,MEMS传感器芯片确定介质的当前密度和/或粘度,使得可能进行与介质无关的体积和/或质量流率测量。
本发明的进一步发展提出将MEMS传感器芯片的测量通道以下述方式被连接至管:介质全部流过MEMS传感器芯片的测量通道,使得压降|p2-p1|基本上由MEMS传感器芯片的测量通道生成。
本发明的替代的进一步发展提出将孔板以下述方式引入到管中:介质平行地流过孔板和MEMS传感器芯片的测量通道,且压降|p2-p1|由引入管中的孔板以及介质部分地流过的MEMS传感器芯片的测量通道生成。进一步发展可尤其提出孔板和测量通道以下述方式互相匹配:流过测量通道的介质与流过孔板的介质之间的流量比被设置为小于1∶20,优选地小于1∶100,尤其优选地小于1∶500。
根据本发明的用于确定在管中流动的介质的体积和/或质量流率的设备至少包括:
-MEMS传感器芯片,其具有测量通道,该测量通道连接至管从而以下述方式确定介质的密度和/或粘度:介质至少部分地流过测量通道,
-压差测量装置,其用于检查跨越MEMS传感器芯片测量通道的压降|p2-p1|,
-评估单元,其被设置为用于基于差压测量装置确定的压降|p2-p1|以及由MEMS传感器芯片确定的密度和/或粘度来确定介质的体积和/或质量流率,与介质无关。
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