[发明专利]锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置

权利要求书

1.一种锭块的制造方法，其通过切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，所述锭块的制造方法的特征在于，执行如下工序：

在沿所述锭的长边方向的1个以上的位置，测量所述锭的径向中心位置的工序；

以测量出的所述锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量Δ(mm)以下的范围内，成为磨削锭块的外周的外周磨削加工机或将锭块切片的切片加工机能够进行加工处理的长度的方式来设定基准位置的工序；

根据已设定的基准位置，将所述锭切断成锭块的工序；及

执行已切断的各锭块的外周磨削的工序，

当所述锭的直径为D1(mm)、由所述锭所制造的半导体晶片的直径为D2(mm)时，所述规定的偏芯量Δ(mm)由以下式(1)确定，

(D1-D2)/2-Δ≥3(mm)……(1)。

2.根据权利要求1所述的锭块的制造方法，其特征在于，所述测量径向中心位置的工序使所述锭沿周向旋转而进行测量。

3.一种半导体晶片的制造方法，其特征在于，执行如下工序：

利用权利要求1或2所述的锭块的制造方法制造单晶硅的锭块的工序；及

将已制造出的锭块进行切片而制造多个晶片的工序。

4.一种锭块的制造装置，其通过切断利用提拉法提拉的单晶硅锭而制造单晶硅的锭块，所述锭块的制造装置具备：

载置台，载置所述锭；

测量器，设置为能够沿着所述载置台上的锭的长边方向移动；

切断机，设置为能够沿着所述载置台上的锭的长边方向移动；及

控制器，进行所述测量器及所述切断机的移动控制，

所述测量器具备：

外周端面位置检测部，对所述锭的外周面的端部照射激光，检测照射后的激光，从而检测所述锭的外周面的端部位置；及

中心位置计算部，根据由所述外周端面位置检测部检测的所述锭的外周面的端部位置，计算所述锭的径向中心位置；

所述控制器具备：

测量位置移动控制部，使所述测量器移动来使其在锭的长边方向的1个以上的位置测量所述锭的径向中心位置；

基准位置设定部，在所述锭的长边方向的各位置，以由所述中心位置计算部所计算的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量Δ(mm)以下的范围内，成为磨削锭块的外周的外周磨削加工机或将锭块切片的切片加工机能够进行加工处理的长度的方式来设定基准位置；及

切断位置移动控制部，使所述切断机移动到由所述基准位置设定部设定的基准位置而进行所述锭的切断，

当所述锭的直径为D1(mm)、由所述锭所制造的半导体晶片的直径为D2(mm)时，所述规定的偏芯量Δ(mm)由以下式(1)确定，

(D1-D2)/2-Δ≥3(mm)……(1)。