[发明专利]锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装置

说明书

一种锭块的制造方法，其切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外周磨削，从而制造单晶硅的锭块，该锭块的制造方法执行如下工序：在沿锭的长边方向的1个以上的位置，测量锭的径向中心位置的工序(S2)；设定测量出的锭的径向中心位置的偏离量为规定的偏芯量以下的基准位置的工序(S7)；根据已设定的基准位置，将锭切断成锭块的工序(S8)；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序(S9)。

技术领域

本发明涉及一种锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法及锭块的制造装 置。

背景技术

一直以来，对利用提拉法而提拉的单晶硅锭，在提拉后直接以锭的状态进 行了外周磨削。外周磨削后，将锭切断成规定长度的锭块，针对各锭块用X射 线衍射确定取向基准位置，并对应于取向基准位置形成了定向平面或缺口(例 如参考专利文献1)。

但是，在半导体晶片的器件工艺中，有时由高温热处理工序中产生的滑移 位错引起的不良成为问题。该不良依赖于半导体晶片强度。

通常，半导体晶片的高氧浓度区域为高强度，低氧浓度区域为低强度。因 此，若半导体晶片中存在低氧浓度区域，则产生由滑移位错引起的不良的风险 变高。

另一方面，由提拉法制造的单晶硅锭的外周容易吸收培育单晶硅时的坩埚 内熔液的液面表层的低氧熔液。因此，单晶硅锭具有越靠外周部则晶格间氧浓 度越降低的倾向。因此，在外周磨削工序中，为了减少器件工艺中的由滑移位 错引起的不良，如何去除低氧浓度区域而使其变少成了课题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平06-166600号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

所述专利文献1中记载的技术中，由于以锭的状态进行外周磨削，因此有 时在锭的径向中心位置产生所谓的弯曲的偏芯。若在所期望的位置将这种锭切 断成锭块，并进行外周磨削，则伴随着径向中心位置的偏芯，而在低氧浓度区 域中也产生偏芯，因此导致锭块的低氧浓度区域增大。

然后，若将低氧浓度区域增大的锭块进行切片而制造半导体晶片，则有半 导体晶片的外周部的低氧浓度区域增大，器件工艺中的由滑移位错引起的不良 的风险变高的课题。

本发明的目的在于，提供一种能够制造器件工艺中的由滑移位错引起的不 良的发生风险被降低的半导体晶片的锭块的制造方法、半导体晶片的制造方法 及锭块的制造装置。

用于解决技术问题的方案

本发明的锭块的制造方法为通过切断利用提拉法提拉的单晶硅锭并进行外 周磨削，从而制造单晶硅的锭块的锭块的制造方法，所述锭块的制造方法的特 征在于，执行如下工序：在沿所述锭的长边方向的1个以上的位置，测量所述 锭的径向中心位置的工序；设定测量出的所述锭的径向中心位置的偏离量为规 定的偏芯量以下的基准位置的工序；根据已设定的基准位置，将所述锭切断成 锭块的工序；及执行已切断的各锭块的外周磨削的工序。

根据本发明，由于在沿锭的长边方向的多个位置测量锭的径向中心位置， 因此能够对应于锭的长边方向位置，掌握锭的径向中心位置的偏离量。因此， 在径向中心位置的偏离量相对于基准位置成为规定的偏芯量以下的径向中心位 置，切断成锭块，从而能够使得锭块内的径向中心位置的偏离量在规定的偏芯 量以下。

并且，将径向位置的偏离量为规定的偏芯量以下的锭块进行外周磨削，由 此能够减少锭块的外周部的低氧浓度区域。因此，通过切片这种锭块而制造半 导体晶片，能够降低器件工艺中的由滑移位错引起的不良的发生风险。

本发明中，优选所述测量径向中心位置的工序使所述锭沿周向旋转而进行 测量。