[发明专利]发光器件封装在审
申请号: | 201880082405.0 | 申请日: | 2018-10-01 |
公开(公告)号: | CN111837245A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 李舒 | 申请(专利权)人: | 亮锐有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/56 | 分类号: | H01L33/56;H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 于非凡;闫小龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件,包括:
基底;
形成在所述基底上的反射层;
形成在所述反射层上的涂覆层;
所述涂覆层中的开口,所述开口暴露所述反射层的一部分;
设置在所述基底上的侧壁,所述侧壁被布置成形成反射杯;
设置在所述反射杯内的发光二极管(LED)芯片;和
通过由所述涂覆层中的所述开口暴露的所述反射层的所述部分将所述LED芯片连接到所述基底的导线。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述LED芯片经由粘合层耦合到所述基底,并且所述涂覆层被布置成在所述粘合层周围形成密封。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中:
所述侧壁形成在所述反射层上,
所述侧壁与所述反射层在界面处相交,所述界面是所述侧壁和所述反射层之间的接触点,并且
所述涂覆层被布置成密封所述界面,以防止湿气进入所述反射杯。
4.根据权利要求1所述的发光器件,还包括从所述LED芯片延伸到所述基底以与所述基底形成结合的导线,其中所述结合被所述涂覆层覆盖。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述涂覆层由选自由Si-O材料、Si-O-N材料、Al-O材料、Al-N材料、Si-N材料和Ti-O材料组成的组的无机材料形成。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述涂覆层的折射率在1.40-1.80的范围内。
7. 根据权利要求1所述的发光器件,其中所述涂覆层的厚度在40 nm至20 μm的范围内。
8.一种发光器件,包括:
基底;
形成在所述基底上的反射层;
经由粘合层耦合到所述基底的发光二极管(LED)芯片;
设置在所述基底上的侧壁,所述侧壁围绕所述LED芯片以形成反射杯;
形成在所述反射层上的涂覆层,其中所述涂覆层由无机聚合物形成,并且被布置成在所述粘合层周围形成密封;
所述涂覆层中的开口,所述开口暴露所述反射层的一部分;和
通过由所述涂覆层中的所述开口暴露的所述反射层的所述部分将所述LED芯片连接到所述基底的导线。
9.根据权利要求8所述的发光器件,其中:
所述反射层形成在所述基底与所述LED芯片之间,
所述涂覆层被布置成覆盖所述反射层的未被所述LED芯片覆盖的部分,并且
所述涂覆层还被布置成覆盖所述LED芯片的壁的至少一部分。
10.根据权利要求8所述的发光器件,其中:
所述侧壁形成在所述反射层上,
所述侧壁与所述反射层在界面处相交,所述界面是所述侧壁和所述反射层之间的接触点,并且
所述涂覆层被布置成密封所述界面,以防止湿气进入所述反射杯。
11.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述涂覆层由选自由Si-O材料、Si-O-N材料、Al-O材料、Al-N材料、Si-N材料和Ti-O材料组成的组的材料形成。
12.根据权利要求8所述的发光器件,其中所述涂覆层的折射率在1.40-1.80的范围内。
13. 根据权利要求8所述的发光器件,其中所述涂覆层的厚度在40 nm至20 μm的范围内。
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