[发明专利]用于半导体存储器的感测线架构的设备和方法

权利要求书

1.一种存储器设备，其包括：

第一感测线，其包含第一、第二和第三感测线部分并且穿过所述第一、第二和第三感测线部分电性上连续；

第二感测线，其具有第四、第五和第六感测线部分并且穿过所述第四、第五和第六感测线部分电性上连续，其中所述第一感测线部分在所述第四感测线部分上方并且所述第六感测线部分在所述第三感测线部分上方；

第一阵列区，其包含耦合到所述第一感测线部分以及所述第四感测线部分的存储器单元；

第二阵列区，其从所述第一阵列区横向地安置并且包含耦合到所述第三感测线部分以及所述第六感测线部分的存储器单元；以及

阵列间隙，其安置在所述第一和第二阵列区之间，

其中所述第一和第四感测线部分从所述第一阵列区延伸到所述阵列间隙中并且所述第三和第六感测线部分从所述第二阵列区延伸到所述阵列间隙中，以及

其中所述第二感测线部分包含竖直组件并且将所述第一感测线部分耦合到所述阵列间隙中的所述第三感测线部分，并且所述第五感测线部分包含竖直组件并且将所述第四感测线部分耦合到所述第六感测线部分。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第二感测线部分包含至少一个导电通孔并且其中所述第五感测线部分包含至少一个导电通孔。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一和第六感测线部分都是从导电材料的第一层形成的并且其中所述第四和第三感测线部分都是从导电材料的第二层形成的。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其进一步包括：

感测放大器；

第一互连件，其经配置以将所述第一感测线耦合到所述感测放大器；以及

第二互连件，其经配置以将所述第二感测线耦合到所述感测放大器，

其中所述感测放大器以及第一和第二互连件安置在所述第三和第四感测线部分的导电层下方。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一阵列区包含耦合到所述第一感测线部分的第一存储器单元以及耦合到所述第四感测线部分的第二存储器单元，并且其中所述第一存储器单元以及所述第二存储器单元共享单元板。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中所述第一存储器单元安置在所述第二存储器单元上方，并且所述第一和第二存储器单元安置在所述第一阵列区中的所述第一感测线部分与所述第四感测线部分之间。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其进一步包括：

第三感测线，其包含第七、第八和第九感测线部分并且穿过所述第七、第八和第九感测线部分电性上连续；以及

第四感测线，其包含第十、第十一和第十二感测线部分并且穿过所述第十、第十一和第十二感测线部分电性上连续，

其中所述第七感测线部分在所述第十感测线部分上方，并且所述第九感测线部分在所述第十二感测线部分上方，以及

其中所述第三和第四感测线侧向邻近所述第一和第二感测线。

8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述第一和第六感测线部分都是从导电材料的第一层形成的并且其中所述第四和第三感测线部分都是从导电材料的第二层形成的，

其中所述第七和第九感测线部分是从所述导电材料的第一层形成的，以及

其中所述第十和第十二感测线部分是从所述导电材料的第二层形成的。