[发明专利]存储器中的实质隐含操作有效
申请号: | 201880083105.4 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN111512379B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | A·皮罗瓦诺 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 中的 实质 隐含 操作 | ||
1.一种设备,其包括:
多个存储器单元,其耦合到第一存取线及多个第二存取线;及
控制器,其经配置以:
将第一信号施加到所述第一存取线;
在正将所述第一信号施加到所述第一存取线时:
经由所述多个第二存取线中的一者而将第二信号施加到所述多个存储器单元中的第一存储器单元;及
经由所述多个第二存取线中的另一者而将第三信号施加到所述多个存储器单元中的第二存储器单元;且
其中作为施加所述第一信号、所述第二信号以及所述第三信号的结果而执行实质隐含操作,且其中在所述第三信号的所述施加之后将所述实质隐含操作的结果存储于所述多个存储器单元中的所述第二存储器单元上;且
其中所述实质隐含操作的所述结果对应于所述实质隐含操作的经否定前项与后项进行OR操作的输出。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经配置以在正将所述第二信号施加到所述多个第二存取线中的所述一者时将所述第三信号施加到所述多个第二存取线中的另一者。
3.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述多个存储器单元中的所述第一存储器单元上所存储的值是所述实质隐含操作的所述前项。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器单元中的所述第二存储器单元上所存储的值是所述实质隐含操作的所述后项。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器单元中的所述第一存储器单元及所述第二存储器单元不耦合到外部负载电阻器。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个存储器单元为电阻可变存储器单元。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述电阻可变存储器单元包括下列中至少一者:
包含第一硫属化物材料的存储元件以及包含第二硫属化物材料的选择元件;及
用作存储元件及选择元件这两者的一硫属化物材料。
8.一种设备,其包括:
第一存储器单元,其耦合到第一存取线及多个第二存取线中的第一者;
第二存储器单元,其耦合到所述第一存取线及所述多个第二存取线中的第二者;及
控制器,其经配置以通过以下方式对所述第一存储器单元及所述第二存储器单元上所存储的值执行实质隐含操作:
在第一时间周期内将第一信号施加到所述第一存取线;
在第二时间周期内将第二信号施加到所述多个第二存取线中的所述第一者,其中所述第二时间周期处于所述第一时间周期内;及
在第三时间周期内将第三信号施加到所述多个第二存取线中的所述第二者,其中所述第三时间周期处于所述第二时间周期内;且
其中在所述第三信号的所述施加之后将所述实质隐含操作的结果存储于所述第二存储器单元上。
9.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元位于包括多个存储器单元的阵列内,且其中所述控制器经配置以:
通过施加第一电压而将所述多个存储器单元中的至少一者编程到第一逻辑状态,所述第一电压的量值大于所述多个存储器单元中的所述至少一者的阈值电压;及
通过施加第二电压而将所述多个存储器单元中的至少一者编程到第二逻辑状态,所述第二电压的量值大于所述多个存储器单元中的所述至少一者的阈值电压,其中所述第二电压的极性不同于所述第一电压的极性。
10.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一存储器单元及所述第二存储器单元直接耦合到存取线解码器,使得不使用负载电阻器来执行所述实质隐含操作。
11.根据权利要求8所述的设备,其中所述第一信号、所述第二信号以及所述第三信号为方形脉冲。
12.根据权利要求8所述的设备,其中对应于所述第二信号的电压量值小于对应于所述第三信号的电压量值。
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