[发明专利]存储器中的实质隐含操作有效

专利信息
申请号: 201880083105.4 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN111512379B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: A·皮罗瓦诺 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 中的 实质 隐含 操作
【说明书】:

发明包含用于存储器中的实质隐含操作的设备及方法。实例性设备可包含耦合到第一存取线及多个第二存取线的多个存储器单元以及耦合到所述多个存储器单元的控制器。所述控制器可经配置以:将第一信号施加到所述第一存取线;在正将所述第一信号施加到所述第一存取线时,经由所述多个第二存取线中的一个相应者而将第二信号施加到所述多个存储器单元中的第一存储器单元,及经由所述多个第二存取线中的另一相应者而将第三信号施加到所述多个存储器单元中的第二存储器单元。将实质隐含操作的结果存储于所述多个存储器单元中的所述第二存储器单元上。

技术领域

本发明一般来说涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及存储器中的实质隐含操作。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性存储器及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据,且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM),以及其它。非易失性存储器可通过在未被供电时留存所存储数据而提供持久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)以及其它存储器。

存储器装置可用作用于需要高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的宽广范围的电子应用的易失性及非易失性存储器。举例来说,非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态驱动器(SSD)、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝式电话、便携式音乐播放器(举例来说,MP3播放器)及电影播放器以及其它电子装置中。数据(例如程序代码、用户数据及/或系统数据,例如基本输入/输出系统(BIOS))通常存储于非易失性存储器装置中。

电阻可变存储器(例如PCRAM)包含可基于存储元件(例如,具有可变电阻的存储元件)的电阻而存储数据的电阻可变存储器单元。因此,电阻可变存储器单元可经编程以通过使电阻可变存储元件的电阻电平变化而存储对应于目标状态的数据。电阻可变存储器单元可通过将电场或电能的来源(例如,正或负电信号(例如,正或负电压或电流信号))施加到所述单元而编程到对应于特定电阻的目标状态(例如,逻辑状态)。

各种计算架构(例如,范纽曼(Von Neumann)架构)包含关联于存储器(例如,存储数据的存储器装置)与处理资源(例如,中央处理单元)之间的数据传送的瓶颈问题,所述处理资源用于与执行指令(例如,程序)相关联地对数据执行计算功能(例如,经由逻辑操作,例如布林(Boolean)逻辑操作及/或更高级数学操作)。一些存储器装置能够进行存储器内计算,存储器内计算可包含在无需将数据传送出阵列外(例如,传送到外部处理资源)的情况下执行存储于存储器阵列中的数据值之间的逻辑操作。

发明内容

本发明的一个方面提供一种设备,其中所述设备包括:多个存储器单元,其耦合到第一存取线及多个第二存取线;及控制器,其经配置以:将第一信号施加到所述第一存取线;在正将所述第一信号施加到所述第一存取线时:经由所述多个第二存取线中的一者而将第二信号施加到所述多个存储器单元中的第一存储器单元;及经由所述多个第二存取线中的另一者而将第三信号施加到所述多个存储器单元中的第二存储器单元;且其中作为所施加的所述信号的结果而执行实质隐含操作,且其中在所述第三信号的所述施加之后将所述实质隐含操作的结果存储于所述多个存储器单元中的所述第二存储器单元上。

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