[发明专利]一种混合存储设备及访问方法有效

专利信息
申请号: 201880083843.9 申请日: 2018-10-16
公开(公告)号: CN111512374B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 肖勇军;孔飞;耿剑锋;何彪;夏邓伟;张广宇 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/00
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 聂秀娜
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 混合 存储 设备 访问 方法
【权利要求书】:

1.一种混合存储设备,其特征在于,包括:

接口,用于将所述混合存储设备电连接至外部设备,并与所述外部设备交互数据;

至少一个存储通道,电连接至所述接口,用于与所述接口交互所述数据;

多个片选线,其中,每个片选线电连接至所述至少一个存储通道中的一个存储通道,用于与所述一个存储通道交互所述数据;

多个存储介质颗粒,其中每个存储介质颗粒电连接至一个片选线,用于与所述一个片选线交互所述数据;其中,所述多个存储介质颗粒包括非易失性随机访问存储器NVRAM和闪存;

封装结构,用于封装所述至少一个存储通道、所述多个片选线和所述多个存储介质颗粒;

所述接口包括物理层设备和控制器;其中,所述物理层设备与所述外部设备交互数据,所述控制器用于使能至少一个存储通道中的一个或多个存储通道,以及用于使能与所述一个或多个存储通道电连接的一个或多个片选线,并通过所述一个或多个存储通道和所述一个或多个片选线与电连接至所述一个或多个片选线的一个或多个存储介质颗粒交互数据。

2.根据权利要求1所述的混合存储设备,其特征在于,

所述至少一个存储通道包括n个存储通道,其中,所述n个存储通道中包括m个第一存储通道和n-m个第二存储通道,每个第一存储通道通过所述多个片选线中的j个第一片选线分别连接j个NVRAM,每个第二存储通道通过所述多个片选线中的k个第二片选线分别连接k个闪存,其中,所述n、所述m均为正整数,且所述n大于所述m,所述j、所述k均为正整数。

3.根据权利要求1所述的混合存储设备,其特征在于,

所述至少一个存储通道包括n个存储通道,每个存储通道连接所述多个片选线中的k个片选线,其中,所述k个片选线包括j个第一片选线和k-j个第二片选线,所述n、所述j、所述k均为正整数,且所述k大于所述j;每个第一片选线连接一个NVRAM,每个第二片选线连接一个闪存。

4.根据权利要求1所述的混合存储设备,其特征在于,

所述至少一个存储通道包括n个存储通道,其中,每个存储通道连接所述多个片选线中的j个片选线,所述n、所述j为正整数;每个片选线与一个NVRAM连接,且所述一个NVRAM进一步与一个闪存连接以连通所述每个片选线和所述一个闪存。

5.一种混合存储系统,其特征在于,包括:

如权利要求1-4任一项所述的混合存储设备和所述外部设备,其中,所述外部设备包括非易失性控制器,电连接至所述混合存储设备,并用于与所述混合存储设备交互所述数据。

6.一种混合存储设备的访问方法,其特征在于,所述方法应用于如权利要求1-4所述方法任一项所述的混合存储设备,所述方法包括:

接收外部设备发送的指令;

确定所述指令指示的地址或所述指令的类型;

根据所述地址或所述类型使能至少一个存储通道中的一个或多个存储通道、以及与所述一个或多个存储通道电连接的多个片选线中的一个或多个片选线,其中,多个片选线分别电连接至多个存储介质颗粒,所述多个存储介质颗粒包括非易失性随机访问存储器NVRAM和闪存;

通过所述一个或多个存储通道和所述一个或多个片选线,与电连接至所述一个或多个片选线的一个或多个存储介质颗粒交互数据。

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