[发明专利]氮化物半导体元件和氮化物半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880084421.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111587492B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 和田贡;希利尔·贝诺 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
1.一种氮化物半导体元件，其特征在于，包含：
AlN层；以及
n型AlGaN，其形成在上述AlN层上，具有40%～70%的Al组分比，
上述n型AlGaN的表示针对（10-12）面的X射线摇摆曲线的半值宽度的n-AlGaN混合值为500arcsec以下，
上述AlN层形成为，上述AlN层的表示针对（10-12）面的X射线摇摆曲线的半值宽度的AlN混合值成为350～520arcsec。
2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，
上述AlN层具有与上述AlN混合值为380～520arcsec相应的晶体质量，
上述n型AlGaN具有40%～60%的Al组分比。
3.根据权利要求2所述的氮化物半导体元件，
上述AlN层具有与上述AlN混合值为410～490arcsec相应的晶体质量，
上述n型AlGaN具有40%～50%的Al组分比。
4.一种氮化物半导体元件的制造方法，其特征在于，具备：
形成AlN层的工序；以及
形成位于上述AlN层上并具有40%～70%的Al组分比的n型AlGaN的工序，
上述n型AlGaN的表示针对（10-12）面的X射线摇摆曲线的半值宽度的n-AlGaN混合值被设定为500arcsec以下，
上述AlN层的表示针对（10-12）面的X射线摇摆曲线的半值宽度的AlN混合值被设定为350～520arcsec。
5.根据权利要求4所述的氮化物半导体元件的制造方法，
上述AlN层形成在蓝宝石基板上，
上述形成AlN层的工序包含变更生长温度的工序、将Ga的掺杂量设为1×1017～1×1018cm-3的工序以及变更AlN层的膜厚的工序中的至少1个以上的工序。
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