[发明专利]柔性OLED装置的制造方法以及支承基板在审
申请号: | 201880084443.X | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN111727664A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 岸本克彦 | 申请(专利权)人: | 堺显示器制品株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;G09F9/00;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/02 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 装置 制造 方法 以及 支承 | ||
1.一种柔性OLED装置的制造方法,其特征在于,
所述制造方法包括:
准备层叠结构体的工序,所述层叠结构体具备基座、包括TFT层和OLED层的功能层区域、位于所述基座与所述功能层区域之间并支承所述功能层区域的柔性膜、以及位于所述柔性膜与所述基座之间并粘合于所述基座的释放层;以及
利用透过所述基座的紫外激光照射所述释放层,并从所述释放层上剥离所述柔性膜的工序,
所述释放层由铝和硅的合金形成。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
所述合金所含的硅的重量比率为4%以上且20%以下。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
所述释放层的线膨胀系数为所述柔性膜的线膨胀系数的30%以上且500%以下。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的制造方法,其特征在于,
所述释放层的厚度为100nm以上且5000nm以下。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的制造方法,其特征在于,
所述紫外激光的波长为300nm以上且360nm以下。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的制造方法,其特征在于,
所述柔性膜的厚度为5μm以上且20μm以下。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的制造方法,其特征在于,
准备所述层叠结构体的工序包括:
通过溅射含有硅的铝靶在所述基座上形成所述释放层的工序;以及
在所述释放层上形成所述柔性膜的工序。
8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法进一步包括:
在从所述释放层上剥离所述柔性膜之后,从所述基座上去除所述释放层并回收的工序。
9.一种柔性OLED装置的支承基板,其特征在于,
所述支承基板具备:
由铝和硅的合金形成的释放层;以及
基座,其由透过紫外线的材料形成,并且支承所述释放层。
10.根据权利要求9所述的支承基板,其特征在于,
所述支承基板还具备由透过所述紫外线的材料形成的柔性膜,所述柔性膜覆盖所述释放层。
11.根据权利要求9或10所述的支承基板,其特征在于,
所述合金所含的硅的重量比率为4%以上且20%以下。
12.根据权利要求9至11中的任意一项所述的支承基板,其特征在于,
所述释放层的线膨胀系数为所述柔性膜的线膨胀系数的30%以上且500%以下。
13.根据权利要求9至12中的任意一项所述的支承基板,其特征在于,
所述释放层的厚度为100nm以上且5000nm以下。
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