[发明专利]应变片

权利要求书

1.一种应变片，具有：

基材，具有可挠性；及

电阻体，在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成，

其中，所述电阻体中添加有第1物质，该第1物质具有防止所述电阻体的主成分即晶粒彼此靠近的功能。

2.如权利要求1所述的应变片，其中，

所述第1物质的电阻温度系数为－30000ppm/℃以上且+1000ppm/℃以下，所述第1物质的的电导率为10^－6S/m以下。

3.如权利要求1或2所述的应变片，其中，

所述第1物质为从由AlN、BN、TiO₂、ZrO₂、SiO₂、及Si₃N₄组成的群中选出的一种或多种物质。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的应变片，其中，

所述电阻体中添加有第2物质，该第2物质具有抑制所述电阻体的主成分即晶粒的成长的功能。

5.如权利要求4所述的应变片，其中，

所述第2物质的电阻温度系数为－30000ppm/℃以上且+1000ppm/℃以下，所述第2物质的电导率为大于10^－6S/m且小于等于10⁷S/m。

6.如权利要求4或5所述的应变片，其中，

所述第2物质为从由TiN、TaN、SiTiN、CrSiO、及Si组成的群中选出的一种或多种物质。

7.如权利要求1至6中的任一项所述的应变片，其中，

在构成所述电阻体的上表面的非氧化面上形成有防氧化层。

8.如权利要求7所述的应变片，其中，

所述防氧化层由一种或多种物质形成，该一种或多种物质从由Ti、TiN、TaN、Si₃O₄、Si、SiO₂、及ZrO₂构成的群中选出。

9.如权利要求1至8中的任一项所述的应变片，具有：

功能层，在所述基材的一个表面上由金属、合金、或金属的化合物形成，

其中，所述电阻体形成在所述功能层的一个表面上。

10.如权利要求9所述的应变片，其中，

所述功能层具有促进所述电阻体的晶体生长的功能。

11.如权利要求10所述的应变片，其中，

所述功能层具有防止所述电阻体的氧化的功能。

12.如权利要求1至11中的任一项所述的应变片，其中，所述电阻体以α铬为主成分。

13.如权利要求12所述的应变片，其中，

所述电阻体包含80重量％以上的α铬。

14.如权利要求12或13所述的应变片，其中，

所述电阻体包含氮化铬。

15.如权利要求1至14中的任一项所述的应变片，具有：

绝缘树脂层，覆盖所述电阻体。