[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201880084900.5 申请日: 2018-01-05
公开(公告)号: CN111542921A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 大串直弘;村井亮司;村上贵彦 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/04
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

在散热材料(4)之上焊接有具有挠性的半导体芯片(6)。通过按压部件(9、11)的前端从上方对半导体芯片(6)进行按压。由此,能够抑制半导体芯片(6)的凸翘曲。并且,由于能够防止孔洞滞留于焊料(7)内,因此能够提高半导体装置的散热性。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

就电力用半导体装置而言,为了使由通电产生的热高效地释放,半导体芯片的下表面经由焊料、散热材料、绝缘材料而与冷却机构连接。半导体芯片的上表面经由焊料而与引线框连接。

为了抑制半导体芯片的与电力用半导体装置的电流大容量化相伴的损耗,半导体芯片的厚度薄至50~160μm左右。另外,为了提高散热性能,半导体芯片的面积变大。因此,存在半导体芯片变形而翘曲的问题。为了减小该半导体芯片的翘曲,提出了通过夹头从上方对半导体芯片进行按压而将其焊接于散热材料的方案(例如,参照专利文献1)。

专利文献1:日本特开平9-51058号公报

发明内容

但是,存在以下问题,即,在将引线框焊接于芯片上表面的工序等芯片接合后的加热工序中,芯片下表面的焊料熔化,半导体芯片再次翘曲。由于半导体芯片翘曲,从而在半导体芯片与散热材料之间的焊料内出现孔洞,在该状态下焊料凝固。由此,存在损害半导体装置的散热性的问题。

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的,其目的在于得到能够抑制半导体芯片的翘曲、提高散热性的半导体装置。

本发明涉及的半导体装置的特征在于,具有:散热材料;半导体芯片,其被焊接于所述散热材料之上、具有挠性;以及按压部件,其通过前端从上方对所述半导体芯片进行按压。

发明的效果

在本发明中,通过按压部件的前端对半导体芯片从上方进行按压。由此,能够抑制半导体芯片的凸翘曲。并且,由于能够防止孔洞滞留于焊料内,因此能够提高半导体装置的散热性。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的半导体装置的剖面图。

图2是表示实施方式1涉及的半导体装置的引线框的前端的斜视图。

图3是表示半导体芯片的上表面的俯视图。

图4是表示对比例涉及的半导体装置的剖面图。

图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的引线框的前端的剖面图。

图6是表示实施方式2涉及的半导体装置的引线框的前端的斜视图。

图7是表示实施方式3涉及的半导体装置的引线框的前端的侧视图。

图8是表示实施方式4涉及的半导体装置的引线框的前端的侧视图。

图9是表示实施方式5涉及的半导体装置的引线框的前端的侧视图。

图10是表示实施方式6涉及的半导体装置的引线框的前端的侧视图。

图11是表示实施方式6涉及的半导体装置的引线框的前端的斜视图。

图12是表示实施方式7涉及的半导体装置的引线框的前端的侧视图。

图13是表示实施方式7涉及的半导体装置的引线框的前端的斜视图。

图14是表示实施方式8涉及的半导体装置的引线框的前端的剖面图。

图15是表示实施方式9涉及的半导体装置的引线框的前端的剖面图。

图16是表示实施方式10涉及的半导体装置的剖面图。

图17是表示实施方式10涉及的半导体装置的俯视图。

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