[发明专利]固体摄像装置及照相机系统有效

专利信息
申请号: 201880085554.2 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111602388B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 宿利章二;柳泽一正;竹田敏文;奥山幸祐;谷口泰弘 申请(专利权)人: 株式会社芙洛提亚
主分类号: H04N25/772 分类号: H04N25/772;H04N25/42;H04N25/77;H10B41/35;H10B41/40;H10B43/35;H10B43/40;H01L27/146;H01L29/788;H01L29/792
代理公司: 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 代理人: 吴京顺
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 照相机 系统
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,包括排列有多个像素的像素阵列,其特征在于,所述像素包括:

光电二极管;

浮置扩散部;

传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮置扩散部之间;

放大晶体管,所述放大晶体管的栅极与所述浮置扩散部连接;和

非易失性存储部,连接在信号输出线和所述放大晶体管之间,

所述非易失性存储部包括:

存储晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述放大晶体管串联连接,所述存储晶体管包括存储栅电极和电荷蓄积层;和

第一选择晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述存储晶体管串联连接。

2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于:

所述非易失性存储部还具有第二选择晶体管,所述第二选择晶体管在所述存储晶体管和所述放大晶体管之间与所述存储晶体管串联连接。

3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于:

所述非易失性存储部由下述部件构成:

漏极和源极,形成于P阱区域的表面;

存储栅结构,包含所述电荷蓄积层及所述存储栅电极,所述存储栅结构配置在所述漏极和所述源极之间的所述P阱区域的表面,形成所述存储晶体管;

第一栅结构,配置在所述存储栅结构和所述源极之间的所述P阱区域的表面上,形成所述第一选择晶体管;和

第二栅结构,配置在所述存储栅结构和所述漏极之间的所述P阱区域的表面上,形成所述第二选择晶体管。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于,所述像素还具有复位晶体管,所述复位晶体管连接在电源线和所述浮置扩散部之间。

5.根据权利要求2或3所述的固体摄像装置,其特征在于,所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管在不向所述信号输出线输出图像信号时,所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管中的至少任一方截止。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:

所述电荷蓄积层通过向所述存储栅电极施加写入电压来蓄积电荷,所述电荷的量与所述放大晶体管的输出电位对应,

所述存储晶体管在所述电荷蓄积层中没有电荷蓄积的状态下通过向所述存储栅电极施加通常电压而导通,阈值电压根据蓄积在所述电荷蓄积层中的电荷的量而变化。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:

所述固体摄像装置具有通常模式、保存模式和读取模式,

在所述通常模式下,将与所述浮置扩散部的电位对应的图像信号输出到所述信号输出线,其中,所述浮置扩散部的电位与所述光电二极管的受光量相对应,

在所述保存模式下,将与所述浮置扩散部的电位对应的量的电荷蓄积在所述电荷蓄积层中,并存储静止图像,其中,所述浮置扩散部的电位与所述光电二极管的受光量相对应,

在所述读取模式下,将与蓄积在所述电荷蓄积层中的所述电荷的量对应的图像信号输出到所述信号输出线。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的固体摄像装置,其特征在于:

所述信号输出线分别与多个所述像素连接,

所述第一选择晶体管连接在所述存储晶体管和所述信号输出线之间,在向所述信号输出线输出图像信号时导通,在向所述存储晶体管施加写入电压时截止。

9.一种照相机系统,其特征在于,包括:

根据权利要求1~8中任一项所述的固体摄像装置;和

控制部,响应于由所述固体摄像装置进行摄像过程中的触发信号,对所述存储栅电极施加写入电压。

10.根据权利要求9所述的照相机系统,其特征在于:

所述照相机系统具有输出与加速度对应的检测信号的加速度传感器,

所述控制部将所述检测信号作为触发信号,其中所述检测信号表示规定阈值以上的加速度。

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