[发明专利]固体摄像装置及照相机系统有效

专利信息
申请号: 201880085554.2 申请日: 2018-12-26
公开(公告)号: CN111602388B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 宿利章二;柳泽一正;竹田敏文;奥山幸祐;谷口泰弘 申请(专利权)人: 株式会社芙洛提亚
主分类号: H04N25/772 分类号: H04N25/772;H04N25/42;H04N25/77;H10B41/35;H10B41/40;H10B43/35;H10B43/40;H01L27/146;H01L29/788;H01L29/792
代理公司: 北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙) 11455 代理人: 吴京顺
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 照相机 系统
【说明书】:

本发明的目的在于提供一种不使用记录介质就能够记录静止图像的固体摄像装置及照相机系统。在图像传感器的像素P设置有光电二极管(35)、传输晶体管(36)、复位晶体管(37)和放大晶体管(38),以及具有选择晶体管功能的存储元件(39)。存储元件(39)中,与漏极侧选择晶体管(DST)和源极侧选择晶体管(SST)一体地形成有存储晶体管(MT)。存储晶体管(MT)通过将写入电压作为栅极电压施加到存储栅电极(41),从而将与光电二极管(35)的受光量对应的量的电荷蓄积在电荷蓄积层(42)中。

技术领域

本发明涉及固体摄像装置及照相机系统。

背景技术

记录由图像传感器(固体摄像装置)拍摄的图像的照相机系统也被利用于防犯照相机或驾驶记录仪等。照相机系统由将被摄体光转换为电图像信号的图像传感器、对图像信号进行γ校正和颜色校正等处理的信号处理电路、记录图像信号的存储卡等记录介质等构成。

作为图像传感器,多使用CMOS型。CMOS型图像传感器的各像素一般由将入射光转换为电荷的光电二极管、将电荷转换为电位的浮置扩散部(floating diffusion)、将光电二极管的电荷传输到浮置扩散部的传输晶体管、使浮置扩散部复位的复位晶体管、在输出信号电压的读取期间导通的选择晶体管等构成(例如,参照非专利文献1)。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1:Wan,G.;Xiangli Li;Agranov,G.;Levoy,M.;Horowitz,M.,“CMOSImage Sensors With Multi-Bucket Pixels for Computational Photography”,IEEEJournal of Solid-State Circuits vol.47,no.4,pp.1031-1042,April 2012

发明内容

发明要解决的课题

然而,例如,从保证证明力等观点出发,希望不对所记录的图像进行编辑、改写、或者图像的删除。但是,如上所述,在以往的照相机系统中,以用户进行访问为前提,在存储卡或光盘等记录介质中记录图像,容易进行图像的编辑或改写以及图像的删除。

本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的在于提供一种不使用记录介质就能够记录静止图像的固体摄像装置及照相机系统。

用于解决课题的手段

本发明的固体摄像装置,包括排列有多个像素的像素阵列,所述像素包括:光电二极管;浮置扩散部;传输晶体管,连接在所述光电二极管和所述浮置扩散部之间;放大晶体管,栅极与所述浮置扩散部连接;和非易失性存储部,连接在信号输出线和所述放大晶体管之间,所述非易失性存储部包括:存储晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述放大晶体管串联连接,所述存储晶体管包括存储栅电极和电荷蓄积层;和第一选择晶体管,在所述放大晶体管和所述信号输出线之间,与所述存储晶体管串联连接。

本发明的照相机系统包括:上述固体摄像装置;和控制部,所述控制部响应于由所述固体摄像装置进行摄像过程中的触发信号,对所述存储栅电极施加写入电压。

本发明的固体摄像装置包括:通常模式,输出与像素的光电二极管的受光量对应的图像信号;保存模式,将与所述光电二极管的受光量对应的模拟量作为存储信息非易失性地存储在非易失性存储部中;和读取模式,将在所述保存模式下存储在所述非易失性存储部中的所述存储信息转换为多位的数字图像信号并输出,禁止再次转移到所述保存模式,或者通过解除操作来允许再次转移到所述保存模式。

本发明的照相机系统包括:多个像素,具有光电二极管;A/D转换电路,输入来自所述像素的图像信号;存储晶体管,连接在所述光电二极管和所述A/D转换电路之间,响应于触发信号,存储与所述光电二极管的受光量对应的存储信息;和事件检测部,检测规定的事件并产生所述触发信号。

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