[发明专利]功能元件和功能元件的制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种功能元件，包括：

第一基板；

第二基板，布置成与所述第一基板对置；和

缓冲层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述缓冲层在其层中具有在膜厚度方向上变化的金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层在其层中具有朝向与所述第一基板和与所述第二基板的界面而降低的所述金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层包括供氧材料和金属材料；以及

其中，所述供氧材料的结合氧的能力比所述金属材料的结合能力低，并且在氧化过程中能够向所述金属材料供氧。

2.根据权利要求1所述的功能元件，其中，所述缓冲层具有透光性和电绝缘性。

3.根据权利要求1所述的功能元件，其中，所述缓冲层包括无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物和无机氟化物中的至少任一种。

4.根据权利要求3所述的功能元件，其中，所述金属元素的结合氧的能力比所述无机氧化物、所述无机氮化物、所述无机氮氧化物和所述无机氟化物的结合能力高。

5.根据权利要求1所述的功能元件，还包括至少在所述第一基板与所述缓冲层之间和在所述第二基板与所述缓冲层之间的至少一方的功能层。

6.一种功能元件的制造方法，该方法包括

将第一基板和第二基板接合，并在所述第一基板和所述第二基板之间形成缓冲层，所述缓冲层在其层中具有在膜厚度方向上变化的金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层在其层中具有朝向与所述第一基板和与所述第二基板的界面而降低的所述金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层包括供氧材料和金属材料；以及

其中，所述供氧材料的结合氧的能力比所述金属材料的结合能力低，并且在氧化过程中能够向所述金属材料供氧。

7.根据权利要求6所述的功能元件的制造方法，其中

在所述第一基板上形成第一金属膜，所述第一金属膜具有第一缓冲层和微晶结构，所述第一缓冲层包括无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物和无机氟化物中的至少任何一种，

在所述第二基板上形成第二金属膜，所述第二金属膜具有第二缓冲层和微晶结构，所述第二缓冲层包括无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物和无机氟化物中的至少任何一种，以及

在将所述第一金属膜和所述第二金属膜接合之后，通过进行热处理来形成所述缓冲层。

8.根据权利要求7所述的功能元件的制造方法，其中，在真空条件下形成所述第一金属膜和所述第二金属膜并且将所述第一金属膜和所述第二金属膜接合。

9.根据权利要求8所述的功能元件的制造方法，其中，进一步在同一装置中形成所述第一金属膜和所述第二金属膜并且将所述第一金属膜和所述第二金属膜接合。

10.根据权利要求7所述的功能元件的制造方法，其中，通过在100℃以上且800℃以下的环境下放置接合的第一基板和第二基板作为所述热处理，从而使所述第一金属膜和所述第二金属膜氧化。

11.根据权利要求6所述的功能元件的制造方法，其中

在所述第一基板上形成第一金属膜，所述第一金属膜具有第一缓冲层和微晶结构，所述第一缓冲层包括无机氧化物、无机氮化物、无机氮氧化物和无机氟化物中的至少任何一种，

在所述第二基板上形成第二金属膜，所述第二金属膜具有微晶结构，以及

在将所述第一金属膜和所述第二金属膜接合之后，通过进行热处理来形成所述缓冲层。

12.一种电子设备，包括

功能元件，包括

第一基板，

第二基板，布置成与所述第一基板对置，以及

缓冲层，设置在所述第一基板和所述第二基板之间，所述缓冲层在其层中具有在膜厚度方向上变化的金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层在其层中具有朝向与所述第一基板和与所述第二基板的界面而降低的所述金属元素的浓度分布；

其中，所述缓冲层包括供氧材料和金属材料；以及

其中，所述供氧材料的结合氧的能力比所述金属材料的结合能力低，并且在氧化过程中能够向所述金属材料供氧。