[发明专利]牺牲性掩模的去除方法

权利要求书

1.一种牺牲性掩模的去除方法，包括：

在器件结构上形成牺牲性掩模，所述牺牲性掩模包括碳基材料；

蚀刻所述牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构；

将蚀刻增强物质植入到所述牺牲性掩模中，其中所述蚀刻增强物质包括氢；以及

在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除所述牺牲性掩模。

2.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，所述湿式蚀刻包括硫酸/过氧化氢蚀刻。

3.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，所述植入包括植入4E13/平方厘米与1E15/平方厘米之间的剂量的氢离子。

4.根据权利要求3所述的牺牲性掩模的去除方法，所述植入包括在多个植入过程中植入所述剂量的氢离子，其中第一植入过程包括第一离子能量，且第二植入过程包括低于所述第一离子能量的第二离子能量。

5.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述牺牲性掩模包括1000纳米到1500纳米的初始厚度。

6.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述蚀刻温度在250℃与300℃之间。

7.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述牺牲性掩模包括具有90％碳/10％硼到30％碳/70％硼的摩尔比的碳/硼混合物。

8.根据权利要求7所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述牺牲性掩模更包括氢。

9.根据权利要求1所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述植入包括在30keV与170keV之间的离子能量下植入至少一种剂量的氢离子。

10.一种牺牲性掩模的去除方法，包括：

在器件结构上形成牺牲性掩模，所述牺牲性掩模包括碳基材料；

蚀刻所述牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构；

在第一蚀刻温度下执行第一湿式蚀刻以选择性地去除所述牺牲性掩模的第一部分，所述第一蚀刻温度是350℃或小于350℃，其中所述牺牲性掩模的第二部分保留；

将蚀刻增强物质植入到所述牺牲性掩模的所述第二部分中；以及

在第二蚀刻温度下执行第二湿式蚀刻以选择性地去除所述牺牲性掩模的所述第二部分，所述第二蚀刻温度小于350℃。

11.根据权利要求10所述的牺牲性掩模的去除方法，所述第二蚀刻温度在250℃与300℃之间。

12.根据权利要求10所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述牺牲性掩模包括具有90％碳/10％硼到30％碳/70％硼的摩尔比的碳/硼混合物。

13.根据权利要求10所述的牺牲性掩模的去除方法，其中所述牺牲性掩模的所述第一部分包括所述牺牲性掩模的初始厚度的40％到80％。

14.一种牺牲性掩模的去除方法，包括：

在器件结构上形成牺牲性掩模，所述牺牲性掩模包括碳基材料；

蚀刻所述牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构；

执行植入过程以将蚀刻增强物质植入到所述牺牲性掩模中，所述植入过程包括：

在第一离子能量下执行第一植入；以及

在大于所述第一离子能量的第二离子能量下执行第二植入，其中所述第一离子能量和所述第二离子能量在30keV到170keV的范围内；以及

在蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除所述牺牲性掩模，所述蚀刻温度小于350℃。