[发明专利]牺牲性掩模的去除方法

说明书

一种牺牲性掩模的去除方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。牺牲性掩模的去除方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。

相关申请

本申请要求保护2018年4月6日申请的美国专利申请15/947234，标题为用于牺牲性掩模的改良去除的技术(TECHNIQUES FOR IMPROVED REMOVAL OF SACRIFICIAL MASK)的优先权，并要求保护2018年1月8日申请的美国临时专利申请62/614943，标题为用于牺牲性掩模的改良去除的技术(TECHNIQUES FOR IMPROVED REMOVAL OF SACRIFICIAL MASK)的优先权，其内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本实施例涉及器件处理，且更确切地说，涉及牺牲性掩模在器件处理期间的去除方法。

背景技术

如今，如半导体器件制造的器件制造可使用一或多个牺牲性掩模层，或牺牲性掩模，包含所谓的硬掩模。在去除如硬掩模的掩模期间，器件的部分可暴露于用于掩模去除的苛性蚀刻剂。作为实例，在三维NAND存储器器件(three dimensional NAND memorydevice；3D NAND)制造期间，存储器阵列可暴露于用于去除硬掩模材料的蚀刻剂。虽然蚀刻剂可设计成使用目标配方以目标蚀刻速率去除硬掩模，目标配方还可侵蚀存储器阵列，从而引起降低的良率性能。举例来说，目标配方可需要有效地去除碳基硬掩模的高温蚀刻。通过降低蚀刻温度，可减少或防止因蚀刻剂引起的存储器侵蚀，同时硬掩模的所得蚀刻速率还可降低到目标蚀刻速率以下。

关于这些和其它考虑因素来提供本公开。

发明内容

在一个实施例中，方法可包含：在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料；蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构；以及将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中。方法可更包含在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。

在另一实施例中，方法可包含：在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料；以及蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构。方法可更包含在第一蚀刻温度下执行第一湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模的第一部分，第一蚀刻温度是350℃或小于350℃，其中牺牲性掩模的第二部分保留。方法还可包含将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模的第二部分中；以及在第二蚀刻温度下执行第二湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模的第二部分，第二蚀刻温度小于350℃。

在另一实施例中，方法可包含：在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料；以及蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构。方法可包含执行植入过程以将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中。植入过程可涉及在第一离子能量下执行第一植入；在大于第一离子能量的第二离子能量下执行第二植入，其中第一离子能量和第二离子能量在30keV到170keV的范围内。方法还可包含在蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模，蚀刻温度小于350℃。

附图说明

图1示出根据本公开的实施例的器件布置。

图2呈现根据本公开的实施例的示范性工艺流程。

图3呈现根据本公开的其它实施例的另一示范性工艺流程。

图4A呈现描绘随用于植入到碳-硼层中的离子能量而变的氢植入深度的曲线图。

图4B呈现描绘用于植入到碳-硼层中的四种不同植入离子能量的氢植入分布图的曲线图。

图4C呈现描绘基于图4B的植入分布图的总和的复合氢植入分布图的曲线图。

图4D呈现描绘基于三种不同离子能量的三个植入分布图的总和的复合氢植入分布图的曲线图。