[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

本发明高效地制造背结型太阳能电池。是包含晶体基板(11)的太阳能电池(10)的制造方法，包括第1工序～第5工序，第2工序中，对于p型半导体层(13p)，依次层叠形成第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，第4工序中，对于第3工序中残留的第2提离层(LF2)和没有p型半导体层(13p)的非形成区域，层叠形成n型半导体层(13n)，第5工序中，使用第1蚀刻溶液，除去第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)，也除去在第2提离层(LF2)层叠的n型半导体层(13n)。而且，相对于第1蚀刻溶液的、p型半导体层(13p)、第1提离层(LF1)和第2提离层(LF2)的蚀刻速度满足特定的关系式。

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造方法。

背景技术

一般的太阳能电池是在半导体基板的两主面(受光面·背面)配置电极的两面电极型，但最近作为没有因电极导致的屏蔽损失的太阳能电池，开发有仅在背面配置有电极的背结(背面电极)型太阳能电池。

背结型太阳能电池需要以高精度在背面形成p型半导体层和n型半导体层等半导体层图案，与两面电极型太阳能电池相比制造方法较为复杂。如专利文献1所示，作为用于使制造方法简化的技术，可举出基于提离法的半导体层图案的形成技术。

即，在开发将氧化硅(SiOx)或碳化硅用作提离层(也称为掩模层或替换层)，通过除去该提离层而除去在其上形成的半导体层，形成半导体层图案的图案的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-120863号公报。

发明内容

然而，目前的课题是为了利用提离法形成高精度的半导体层图案，在除去提离层前需要对提离层本身实施图案等，所以生产率自然不高。

本发明是为了解决上述课题而完成的。因此，以高效地制造背结型太阳能电池作为课题。

本发明的包含晶体基板的太阳能电池的制造方法中，包括如下工序：

第1工序，在所述晶体基板的一侧主面侧，形成第1导电型半导体层，

第2工序，对于所述第1导电型半导体层，依次层叠形成包含硅系薄膜材料的、第1提离层和第2提离层，

第3工序，在所述一侧主面的一部分，通过除去所述第2提离层、所述第1提离层和所述第1导电型半导体层，生成所述第1导电型半导体层的非形成区域，另一方面，在所述一侧主面的剩余部分，使所述第1导电型半导体层、所述第1提离层和所述第2提离层残留，

第4工序，对所述残留的所述第2提离层和所述非形成区域，层叠形成第2导电型半导体层，以及

第5工序，使用第1蚀刻溶液，除去所述第1提离层和所述第2提离层，并且，还除去层叠于所述第2提离层的所述第2导电型半导体层；

并且，对于所述第1蚀刻溶液，第1导电型半导体层、第1提离层和第2提离层的蚀刻速度满足以下的关系式：

第1导电型半导体层的蚀刻速度第2提离层的蚀刻速度第1提离层的蚀刻速度……[关系式1]。

根据本发明，可高效率地制造背结型太阳能电池。

附图说明

图1A是表示太阳能电池的制造方法的截面图。

图1B是表示太阳能电池的制造方法的截面图。

图1C是表示太阳能电池的制造方法的截面图。

图1D是表示太阳能电池的制造方法的截面图。

图1E是表示太阳能电池的制造方法的截面图。