[发明专利]框架一体型掩模及框架一体型掩模的制造方法

权利要求书

1.一种框架一体型掩模，其由多个掩模与用于支撑掩模的框架一体形成，其中，框架包括：

边缘框架部，其包括中空区域；以及

掩模单元片材部，其具有多个掩模单元区域并连接于边缘框架部，

各掩模连接于掩模单元片材部的上部。

2.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

掩模单元片材部沿着第一方向和垂直于第一方向的第二方向中至少一个方向具有多个掩模单元区域。

3.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，掩模单元片材部包括：

边缘片材部；以及

至少一个第一栅格片材部，其在第一方向上延伸形成且两端连接于边缘片材部。

4.如权利要求3所述的框架一体型掩模，其中，

掩模单元片材部还包括至少一个第二栅格片材部，所述第二栅格片材部在垂直于第一方向的第二方向上延伸形成并与第一栅格片材部交叉，且两端连接于边缘片材部。

5.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

各掩模对应于各掩模单元区域。

6.如权利要求5所述的框架一体型掩模，其中，

掩模包括形成有多个掩模图案的掩模单元和掩模单元周边的虚设部，

并且虚设部的至少一部分粘贴到掩模单元片材部。

7.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

掩模包括一个掩模单元，且各掩模对应于掩模单元片材部的各掩模单元区域。

8.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

掩模包括多个掩模单元，且各掩模对应于掩模单元片材部的各掩模单元区域。

9.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

边缘框架部为四角形状。

10.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

边缘框架部的厚度比掩模单元片材部的厚度厚，且掩模单元片材部的厚度比掩模厚。

11.如权利要求10所述的框架一体型掩模，其中，

掩模单元片材部的厚度为0.1～1mm，且掩模的厚度为2～50μm。

12.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

掩模和框架是因瓦合金、超因瓦合金、镍、镍钴中任意一种材料。

13.如权利要求1所述的框架一体型掩模，其中，

粘贴到一个掩模单元区域上的掩模与粘贴到与其相邻的掩模单元区域上的掩模之间的像素位置精度不超过3μm。

14.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由多个掩模与用于支撑掩模的框架一体形成，其中，所述方法包括：

(a)提供包括中空区域的边缘框架部的步骤；

(b)将具有多个掩模单元区域的掩模单元片材部连接到边缘框架部的步骤；

(c)将掩模对应到掩模单元片材部的一个掩模单元区域的步骤；以及

(d)将掩模边缘的至少一部分粘贴到掩模单元片材部的步骤。

15.一种框架一体型掩模的制造方法，所述框架一体型掩模由多个掩模与用于支撑掩模的框架一体形成，所述方法包括：

(a)提供包括中空区域的边缘框架部的步骤；

(b)将平面的掩模单元片材部连接到边缘框架部的步骤；

(c)在掩模单元片材部形成多个掩模单元区域的步骤；

(d)将掩模对应于掩模单元片材部的一个掩模单元区域的步骤；以及

(e)将掩模边缘的至少一部分粘贴到掩模单元片材部的步骤。