[发明专利]磁检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁检测装置，具备全桥电路，该全桥电路具有第1磁检测元件和第2磁检测元件，该第1磁检测元件具备层叠第1固定磁性层和第1自由磁性层的第1磁阻效应膜，该第2磁检测元件具备层叠第2固定磁性层和第2自由磁性层的第2磁阻效应膜，该磁检测装置的特征在于，

在所述全桥电路中，所述第1磁检测元件与所述第2磁检测元件被串联连接而成的第1半桥电路、和所述第2磁检测元件与所述第1磁检测元件被串联连接而成的第2半桥电路在电源端子与接地端子之间被并联连接，

所述第1磁检测元件与所述第2磁检测元件设置在相同的基板上，

在所述第1磁阻效应膜中，

所述第1固定磁性层和层叠于所述第1固定磁性层的与所述第1自由磁性层对置的一侧的相反侧的第1固定用反铁磁性层构成第1固定用交换耦合膜，

所述第1自由磁性层和层叠于所述第1自由磁性层的与所述第1固定磁性层对置的一侧的相反侧的第1偏置用反铁磁性层构成第1偏置用交换耦合膜，

在所述第2磁阻效应膜中，

所述第2固定磁性层和层叠于所述第2固定磁性层的与所述第2自由磁性层对置的一侧的相反侧的第2固定用反铁磁性层构成第2固定用交换耦合膜，

所述第2自由磁性层和层叠于所述第2自由磁性层的与所述第2固定磁性层对置的一侧的相反侧的第2偏置用反铁磁性层构成第2偏置用交换耦合膜，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴与所述第2固定磁性层的固定磁化轴被设定为共轴，

所述第1偏置用交换耦合膜的交换耦合磁场的方向与所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向被设定为非平行，所述第2偏置用交换耦合膜的交换耦合磁场的方向与所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向被设定为非平行，

所述第1固定用反铁磁性层的阻隔温度Tbf1以及所述第2固定用反铁磁性层的阻隔温度Tbf2分别比所述第1偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb1以及所述第2偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb2中的任一个温度高，

所述第1偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb1比所述第2偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb2高。

2.根据权利要求1所述的磁检测装置，其中，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向被设定为反平行，

所述第1偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向和所述第2偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向被设定为平行，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第1偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向被设定为非平行。

3.根据权利要求1所述的磁检测装置，其中，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向被设定为平行，

所述第1偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向和所述第2偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向被设定为非平行。

4.根据权利要求3所述的磁检测装置，其中，

以所述第1偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向相对于所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向的层叠方向观察时的倾斜角度与以所述第2偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向相对于所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向的层叠方向观察时的倾斜角度方向相反且绝对值相等。

5.根据权利要求1～权利要求4中的任一项所述的磁检测装置，其中，

作为所述第1固定用反铁磁性层以及所述第2固定用反铁磁性层的至少一方的固定用反铁磁性层具备X(Cr-Mn)层，该X(Cr-Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种以上的元素X以及Mn、Cr，

所述X(Cr-Mn)层具有相对地接近与所述固定用反铁磁性层交换耦合的固定用铁磁性层的第1区域、和离所述固定用铁磁性层相对地远的第2区域，

所述第1区域中的Mn的含量比所述第2区域中的Mn的含量高。

6.根据权利要求5所述的磁检测装置，其中，

所述第1区域与所述固定用铁磁性层相接。

7.根据权利要求5所述的磁检测装置，其中，

所述第1区域具有作为Mn的含量相对于Cr的含量的比的Mn/Cr比为0.3以上的部分。