[发明专利]磁检测装置及其制造方法

说明书

一种磁检测装置(100)，具备固定磁化方向(P)与偏置施加方向F的关系相互不同的两种的磁阻效应膜(MR1、MR2)的磁检测元件(M1、R2)设置在同一基板(SB)上的全桥电路(HB)，通过具备阻隔温度(Tb)不同的反铁磁性层的三种以上的交换耦合膜(511、512、521、522)设定有固定磁化方向(P)以及偏置施加方向(F)，因此具有强磁场耐性，制造也容易且制造自由度高。

技术领域

本发明涉及具备全桥电路的磁检测装置及其制造方法，其中全桥电路具备多个具有磁阻效应膜的磁检测元件。

背景技术

使用了具有包括固定磁性层以及自由磁性层的磁阻效应膜的磁检测元件的磁检测装置(磁传感器)被用于地磁传感器、位置传感器、电流传感器等各种领域。从提高这样的各种传感器的检测精度或者扩大可测定范围的观点出发，有时磁传感器具备将对外部磁场的响应性不同的两种磁检测元件串联连接而成的半桥电路并联连接而构成的全桥电路(惠斯通电桥电路)。全桥电路所使用的两种磁检测元件通常基于未施加外部磁场的状态下的自由磁性层的磁化方向与灵敏度轴方向的相对关系不同，对外部磁场的响应性不同。

例如，在专利文献1中，记载了固定磁化轴相互反平行地设定的两种磁检测元件。此外，在专利文献2中，记载了固定磁化轴被设定为相同的方向但施加于自由磁性层的偏置磁场的方向被设定为不同的两种磁检测元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-527497号公报

专利文献2：日本特表2014-516406号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1中，为了将形成于基板上的多个磁检测元件的固定磁化轴的方向设定为相互不同，通过在施加磁场的同时选择性地对多个磁检测元件中的任一个进行通电加热，将被通电加热后的磁检测元件的反铁磁性层加热至其阻隔温度以上，在与外部磁场的施加方向一致的固定磁性层的磁化方向上使反铁磁性层的磁化方向一致，其结果是，将被通电加热的磁检测元件的固定磁化轴设定为所希望的方向。

在专利文献2中，对于两种磁检测元件，使固定磁化轴的方向一致，使未施加外部磁场的状态下的自由磁性层的方向相互不同，在同一基板上形成两种磁检测元件。作为控制该自由磁性层的方向的方法，记载了如下方法：使用磁阻效应膜的形状各向异性、使用由永久磁铁产生的偏置磁场、在自由磁性层层叠反铁磁性层而产生交换耦合磁场。

本发明的目的在于提供一种磁检测装置，该磁检测装置具备通过与上述的专利文献1以及专利文献2所记载的结构不同的结构而在同一基板上具有对外部磁场的响应性不同的两种磁检测元件的全桥电路(惠斯通电桥电路)。此外，本发明的目的还在于提供一种制造上述的磁检测装置的方法。

用于解决课题的手段