[发明专利]磁检测装置及其制造方法

权利要求书

1.一种磁检测装置，具备全桥电路，所述全桥电路具有第1磁检测元件和第2磁检测元件，所述第1磁检测元件具备层叠了第1固定磁性层和第1自由磁性层的第1磁阻效应膜以及对所述第1自由磁性层施加偏置磁场的第1磁场施加偏置膜，所述第2磁检测元件具备层叠了第2固定磁性层和第2自由磁性层的第2磁阻效应膜以及对所述第2自由磁性层施加偏置磁场的第2磁场施加偏置膜，该磁检测装置的特征在于，

所述全桥电路构成为，所述第1磁检测元件与所述第2磁检测元件被串联连接而成的第1半桥电路、和所述第2磁检测元件与所述第1磁检测元件被串联连接而成的第2半桥电路在电源端子与接地端子之间被并联连接，

所述第1磁检测元件和所述第2磁检测元件设置在同一基板上，

所述第1磁阻效应膜具有层叠了所述第1固定磁性层和第1固定用反铁磁性层的第1固定用交换耦合膜，

所述第1磁场施加偏置膜具有层叠了第1铁磁性层和第1偏置用反铁磁性层的第1偏置用交换耦合膜，

所述第2磁阻效应膜具有层叠了所述第2固定磁性层和第2固定用反铁磁性层的第2固定用交换耦合膜，

所述第2磁场施加偏置膜具有层叠了第2铁磁性层和第2偏置用反铁磁性层的第2偏置用交换耦合膜，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴和所述第2固定磁性层的固定磁化轴设定为共轴，

所述第1偏置用交换耦合膜的交换耦合磁场的方向和所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向设定为不平行，所述第2偏置用交换耦合膜的交换耦合磁场的方向和所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向设定为不平行，

所述第1固定用反铁磁性层的阻隔温度Tbf1以及所述第2固定用反铁磁性层的阻隔温度Tbf2分别比所述第1偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb1以及所述第2偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb2均高，

所述第1偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb1比所述第2偏置用反铁磁性层的阻隔温度Tb2高。

2.根据权利要求1所述的磁检测装置，其特征在于，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向设定为反平行，

所述第1偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向和所述第2偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向设定为平行，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第1偏置用反铁磁性层的交换耦合磁场的方向设定为不平行。

3.根据权利要求1所述的磁检测装置，其特征在于，

所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向和所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向设定为平行，

所述第1偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向和所述第2偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向设定为不平行。

4.根据权利要求3所述的磁检测装置，其特征在于，

所述第1偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向相对于所述第1固定磁性层的固定磁化轴的方向的层叠方向观察下的倾斜角度与所述第2偏置用交换耦合膜的偏置磁场的方向相对于所述第2固定磁性层的固定磁化轴的方向的层叠方向观察下的倾斜角度方向相反且绝对值相等。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的磁检测装置，其特征在于，

作为所述第1固定用反铁磁性层以及所述第2固定用反铁磁性层的至少一者的固定用反铁磁性层具备含有从由铂族元素以及Ni构成的组选出的一种或者两种以上的元素X和Mn以及Cr的X(Cr-Mn)层，

所述X(Cr-Mn)层具有位于相对接近与具备所述X(Cr-Mn)层的固定用反铁磁性层交换耦合的固定用铁磁性层的位置的第1区域、和位于相对远离所述固定用铁磁性层的位置的第2区域，

所述第1区域中的Mn的含有量比所述第2区域中的Mn的含有量高。

6.根据权利要求5所述的磁检测装置，其特征在于，

所述第1区域与所述固定用铁磁性层相接。

7.根据权利要求5所述的磁检测装置，其特征在于，

所述第1区域具有Mn的含有量相对于Cr的含有量的比即Mn/Cr比为0.3以上的部分。