[发明专利]磁检测装置及其制造方法

说明书

具备具有固定磁化方向(P)和偏置施加方向(F)的关系彼此不同的两个种类的磁阻效应膜(MR1、MR2)的磁检测元件(M1、R2)被设置在同一基板(SB)上的全桥电路(HB)的磁检测装置(100)通过具备阻隔温度(Tb)不同的反铁磁性层的3个种类以上的交换耦合膜(511、512、521、522)设定了固定磁化方向(P)以及偏置施加方向(F)，因此具有强磁场耐性，也容易制造，制造自由度高。

技术领域

本发明涉及包含具备多个具有磁阻效应膜的磁检测元件的全桥电路的磁检测装置及其制造方法。

背景技术

利用了具有包含固定磁性层以及自由磁性层的磁阻效应膜的磁检测元件的磁检测装置(磁传感器)被使用于地磁传感器、位置传感器、电流传感器等各种各样的领域。从提高这样的各种传感器的检测精度或者扩大能测定的范围的观点出发，存在磁传感器具备使将对外部磁场的响应性不同的两个种类的磁检测元件串联连接而成的半桥电路进行并联连接而构成的全桥电路(惠斯通桥电路)的情况。用于全桥电路的两个种类的磁检测元件通常基于未施加外部磁场的状态下的自由磁性层的磁化方向和灵敏度轴方向的相对关系不同，对外部磁场的响应性不同。

例如，在专利文献1中记载了固定磁化轴设定为相互反平行的两个种类的磁检测元件。此外，在专利文献2中记载了固定磁化轴设定为相同的方向但施加于自由磁性层的偏置磁场的方向设定为不同的两个种类的磁检测元件。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-527497号公报

专利文献2：日本特表2014-516406号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1中，为了将形成在基板上的多个磁检测元件的固定磁化轴的方向设定为彼此不同，通过施加磁场并且选择性地对多个磁检测元件的任一个进行通电加热，从而将被通电加热的磁检测元件的反铁磁性层加热到其阻隔温度以上，使反铁磁性层的磁化方向一致于已与外部磁场的施加方向一致的固定磁性层的磁化方向，结果，将被通电加热的磁检测元件的固定磁化轴设定为希望的方向。

在专利文献2中，将两个种类的磁检测元件形成在同一基板上，使得关于两个种类的磁检测元件而使固定磁化轴的方向一致，使未施加外部磁场的状态的自由磁性层的方向彼此不同。作为控制该自由磁性层的方向的方法，记载了利用磁阻效应膜的形状各向异性、利用永久磁铁所引起的偏置磁场、在自由磁性层层叠反铁磁性层而产生交换耦合磁场的方法。

本发明的目的在于，提供一种通过与这样的专利文献1以及专利文献2记载的结构不同的结构，具备在同一基板上具有对外部磁场的响应性不同的两个种类的磁检测元件的全桥电路(惠斯通桥电路)的磁检测装置。此外，本发明的目的还在于，提供一种制造上述的磁检测装置的方法。

用于解决课题的手段