[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201880087106.6 | 申请日: | 2018-03-02 |
公开(公告)号: | CN111630644B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K1/00;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/78 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
基板,其具有半导体芯片配置面;
半导体芯片,其被配置于所述半导体芯片配置面上,且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极;以及
引线,其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片,
其中,从平面上看,所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部,所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上,
所述凸部与所述半导体芯片不接触,
所述凸部按照:在通过所述焊锡来接合所述主电极与所述电极连接片的接合工序中遮挡从所述焊锡的侧面飞散的焊球到达所述控制电极的配置结构,设置在所述电极连接片上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述凸部从平面上看被配置在所述半导体芯片所配置着的区域内。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,在从截面观看时,所述引线在所述凸部的部分处向所述半导体芯片侧折弯。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,在从所述电极连接片上的与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面观看时,在所述电极连接片上形成有与所述凸部相对应的凹部。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,从平面上看,所述电极连接片被配置为覆盖所述焊锡整体。
6.一种半导体装置的制造方法,用于制造权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,包括:
半导体芯片配置工序,在具有半导体芯片配置面的基板的所述半导体芯片配置面上配置半导体芯片,使得主电极以及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极位于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上;
组装体形成工序,将具有形成了向一个面突出的凸部的电极连接片的引线按照:使所述主电极与所述电极连接片成为夹着焊锡材料的相向状态,并且从平面上看,使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上,并且是使所述凸部成为向所述半导体芯片侧突出的状态来进行配置后形成组装体;以及
接合工序,在将所述焊锡材料熔融后通过使其固化来将所述主电极与所述电极连接片经由焊锡进行接合。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社,未经新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880087106.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造