[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880087106.6 申请日: 2018-03-02
公开(公告)号: CN111630644B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;B23K1/00;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/78
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

基板,其具有半导体芯片配置面;

半导体芯片,其被配置于所述半导体芯片配置面上,且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极;以及

引线,其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片,

其中,从平面上看,所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部,所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上,

所述凸部与所述半导体芯片不接触,

所述凸部按照:在通过所述焊锡来接合所述主电极与所述电极连接片的接合工序中遮挡从所述焊锡的侧面飞散的焊球到达所述控制电极的配置结构,设置在所述电极连接片上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述凸部从平面上看被配置在所述半导体芯片所配置着的区域内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

其中,在从截面观看时,所述引线在所述凸部的部分处向所述半导体芯片侧折弯。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

其中,在从所述电极连接片上的与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面观看时,在所述电极连接片上形成有与所述凸部相对应的凹部。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于:

其中,从平面上看,所述电极连接片被配置为覆盖所述焊锡整体。

6.一种半导体装置的制造方法,用于制造权利要求1至5中的任意一项所述的半导体装置,其特征在于,包括:

半导体芯片配置工序,在具有半导体芯片配置面的基板的所述半导体芯片配置面上配置半导体芯片,使得主电极以及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极位于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上;

组装体形成工序,将具有形成了向一个面突出的凸部的电极连接片的引线按照:使所述主电极与所述电极连接片成为夹着焊锡材料的相向状态,并且从平面上看,使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或使所述凸部是位于所述电极连接片上的与所述焊锡材料接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上,并且是使所述凸部成为向所述半导体芯片侧突出的状态来进行配置后形成组装体;以及

接合工序,在将所述焊锡材料熔融后通过使其固化来将所述主电极与所述电极连接片经由焊锡进行接合。

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