[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明的半导体装置1包括：基板10，其具有半导体芯片配置面12；半导体芯片20，其被配置于半导体芯片配置面12上，且具有形成于与半导体芯片配置面12相向的面是相反侧的面上的主电极24及形成于与主电极24分离的位置上的控制电极26；以及引线30，其具有至少一部分是经由焊锡40而与主电极24相接合的电极连接片32，其中，从平面上看，电极连接片32具有向半导体芯片20侧突出的凸部38，凸部38位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面37上的栅电极26侧的边缘部37与栅电极26之间、或位于电极连接片32上的与焊锡40接合的接合面36上的栅电极26侧的边缘部37相接的位置上。根据本发明的半导体装置1，能够提供可靠性不易下降的半导体装置。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

以往，有一种经由焊锡而接合有半导体芯片与引线的半导体装置已被普遍知晓(例如，参照专利文献1)。

如图8所示，专利文献1中记载的以往的半导体装置900包括：基板910，其具有半导体芯片配置面912；半导体芯片920，其被配置于半导体芯片配置面912上，且具有形成于与半导体芯片配置面912是相向的面上的集电极922、以及具有形成于与半导体芯片配置面912相向的面是相反侧的面上的发射极924(主电极)及形成于与发射极924分离的位置上的栅电极926(控制电极)；以及引线930，其具有电极连接片932，并且该电极连接片932经由焊锡940而与发射极924相接合。

根据专利文献1中记载的以往的半导体装置900，其电极连接片932是经由焊锡940而与发射极924相接合，即，由于是仅经由焊锡940(不经由导线等中间构件)来直接连接半导体芯片920与引线930，因此，半导体装置900适于具有较大的电流容量且使用大电流的电子设备(例如电源)。此外，在专利文献1中记载的以往的半导体装置900中，为了形成焊锡而使用糊状的焊锡材料。

【先行技术文献】

【专利文献1】特开2010-123686号公报

【专利文献2】特开2017-199809号公报

然而，在专利文献1中记载的以往的半导体装置中，当在制造过程中进行回流后，有时会由于糊状的焊锡材料中的助焊剂急剧地蒸发而导致焊锡材料或助焊剂飞散，从而会使焊锡(焊球SB)或助焊剂粘附在栅电极926的表面上(参照图9)。而在这种情况下，在之后的导线接合工序中，栅电极926与导线970之间的接合强度就会下降，从而就有可能产生半导体装置的可靠性下降的问题。

特别是在为了缓和作用于半导体芯片与引线之间的焊锡的应力(例如热应力)而必须要使该焊锡保持在一定厚度以上的情况下(例如，参照专利文献2)，由于从焊锡材料的侧面的上部(以半导体芯片为基准时的高度较高的部分)飞散的焊锡或助焊剂被送到一定距离以外的地方，因此上述问题会变得尤为显著。

所以，本发明为了解决上述问题，目的是提供一种可靠性不易下降的半导体装置。此外，本发明的目的还提供一种半导体装置的制造方法，来用于制造所述半导体装置。

发明内容

【1】本发明的半导体装置，其特征在于，包括：基板，其具有半导体芯片配置面；半导体芯片，其被配置于所述半导体芯片配置面上，且具有形成于与所述半导体芯片配置面相向的面是相反侧的面上的主电极及形成于与所述主电极分离的位置上的控制电极；以及引线，其具有至少一部分是经由焊锡而与所述主电极相接合的电极连接片，其中，从平面上看，所述电极连接片具有向所述半导体芯片侧突出的凸部，所述凸部位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部与所述控制电极之间、或位于所述电极连接片上的与所述焊锡接合的接合面上的控制电极侧的边缘部相接的位置上。

【2】在本发明的半导体装置中，最好是：所述凸部从平面上看被配置在所述半导体芯片所配置着的区域内。