[发明专利]装备清洁设备和方法有效
申请号: | 201880087669.5 | 申请日: | 2018-11-07 |
公开(公告)号: | CN111656485B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 罗曼·M·莫斯托沃伊;苏克图·阿伦·帕里克;托德·伊根 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H10K50/10;H10K71/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装备 清洁 设备 方法 | ||
1.一种用于清洁物体的方法,包括以下步骤:
沿着所述物体的表面移动清洁头;
将超临界二氧化碳流体输送到所述物体的所述表面;
从所述物体去除所述超临界二氧化碳流体和污染物质;
确定通过真空泵排出到检测器的所述污染物质的一个或多个测量结果;和
通过收集器收集所述污染物质的样本,其中所述收集器耦接到所述真空泵和所述检测器;和
通过分析器确定所述物体的所述表面的污染程度,其中光学通道耦接到所述分析器和所述清洁头。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述超临界二氧化碳流体在大于500磅/平方英寸(psi)的压力下输送。
3.根据权利要求1所述的方法,其中:
输送超临界二氧化碳流体的步骤从所述物体的所述表面去除所述污染物质,所述污染物质包括多个颗粒;
通过所述真空泵去除所述超临界二氧化碳流体和所述污染物质;并且
确定所述污染物质的所述一个或多个测量结果的步骤包括确定所述污染物质的每个颗粒的密度。
4.一种用于清洁物体的方法,包括以下步骤:
沿第一物体的表面移动清洁头;
将超临界二氧化碳流体输送到所述第一物体的所述表面;
从所述第一物体去除所述超临界二氧化碳流体和污染物质;
确定通过真空泵排出到检测器的来自所述第一物体的所述污染物质的一个或多个测量结果;
通过收集器收集来自所述第一物体的所述污染物质的样本,其中所述收集器耦接到所述真空泵和所述检测器;和
通过分析器确定所述第一物体的所述表面的污染程度,其中光学通道耦接到所述分析器和所述清洁头;
沿第二物体的表面移动所述清洁头;
将所述超临界二氧化碳流体输送到所述第二物体的所述表面;
从所述第二物体去除所述超临界二氧化碳流体和污染物质;
确定通过所述真空泵排出到所述检测器的来自所述第二物体的所述污染物质的一个或多个测量结果;和
通过所述收集器收集来自所述第二物体的所述污染物质的样本;和
通过所述分析器确定所述第二物体的所述表面的污染程度。
5.根据权利要求4所述的方法,其中将所述超临界二氧化碳流体输送到所述第一物体的所述表面的步骤从所述第一物体的所述表面去除所述污染物质,其中将所述超临界二氧化碳流体输送到所述第二物体的所述表面的步骤从所述第二物体的所述表面去除所述污染物质,并且其中所述污染物质包括多个颗粒。
6.根据权利要求5所述的方法,其中通过所述真空泵从所述第一物体去除所述超临界二氧化碳流体和所述污染物质,并且其中通过所述真空泵从所述第二物体去除所述超临界二氧化碳流体和所述污染物质。
7.根据权利要求6所述的方法,其中确定来自所述第一物体的所述污染物质的一个或多个测量结果的步骤包括确定来自所述第一物体的所述污染物质的每个颗粒的密度,并且其中确定来自所述第二物体的所述污染物质的一个或多个测量结果的步骤包括确定来自所述第二物体的所述污染物质的每个颗粒的密度。
8.一种清洁装置,包括:
清洁头;
光学通道,所述光学通道耦接到分析器,所述光学通道耦接到所述清洁头;
检测器,所述检测器耦接到所述清洁头,所述检测器可操作以确定污染物质的颗粒的密度;
收集器,所述收集器耦接到所述检测器;和
真空泵,所述真空泵耦接到所述收集器,所述真空泵可操作以将包括所述污染物质的这些颗粒的所述污染物质排出到所述检测器。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述检测器经配置以确定所述污染物质的每个颗粒的密度。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述收集器经配置以收集所述污染物质的样本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造