[发明专利]装备清洁设备和方法

说明书

本文描述的实施方式涉及清洁装置和用于清洁物体的方法。在一个实施方式中，通过沿着物体的表面移动清洁头来清洁物体。超临界二氧化碳流体通过超临界二氧化碳流体容器被输送到物体表面。通过真空泵将超临界二氧化碳流体和污染物质从物体去除至检测器。通过检测器确定污染物质的一个或多个测量结果。通过收集器收集污染物质的样本。通过分析器确定物体表面的污染程度。

背景

领域

本公开内容的实施方式一般涉及用于清洁装备的设备和方法。更具体而言，本公开内容的实施方式涉及用于清洁半导体、OLED和平板装置的设备和方法。

相关技术的说明

在半导体、OLED和平板装置的清洁中，通常希望从基板表面去除污染物，从而留下清洁的表面。例如，在半导体处理期间，通常也需要清洁处理发生所在的腔室。在没有清洁的情况下，可能存在会负面地影响半导体器件性能的污染物。

清洁腔室(称为工艺维护或PM)会关停生产。在PM期间，腔室中不能处理半导体器件。因此，PM极大地影响半导体器件的产量。因此，减少PM时间将是有益的。半导体器件(诸如基板、腔室部件、腔室工具、腔室和腔室主框架(mainframe))的清洁度影响产品产量、腔室正常运行时间和客户的拥有成本。

大多数当前的湿式清洁技术利用真空清洁器从待清洁物体的表面去除污染物质。然而，使用真空清洁器不足以从物体表面去除污染物质，因此不是时间上有效的。此外，随后的颗粒和表面污染的测量需要额外的时间，这降低微芯片的产量、减少工具的正常运行时间，并且增加客户的拥有成本。

因此，本领域需要改良的清洁装置和用于清洁物体的方法。

发明内容

在一个实施方式中，提供一种方法。所述方法包括沿着物体的表面移动清洁装置。将超临界二氧化碳流体输送到物体的表面。从物体去除超临界二氧化碳流体和污染物质。确定污染物质的一个或多个测量结果。收集污染物质的样本。

在一个实施方式中，提供一种方法。所述方法包括沿第一物体的表面移动清洁装置。将超临界二氧化碳流体输送到第一物体的表面。从第一物体去除超临界二氧化碳流体和污染物质。确定来自第一物体的污染物质的一个或多个测量结果。收集来自第一物体的污染物质的样本。沿第二物体的表面移动清洁装置。将超临界二氧化碳流体输送到第二物体的表面。从第二物体去除超临界二氧化碳流体和污染物质。确定来自第二物体的污染物质的一个或多个测量结果。收集来自第二物体的污染物质的样本。

在另一个实施方式中，提供一种装置。所述装置包括清洁头。光学通道耦接到分析器。光学通道耦接到清洁头。检测器耦接到所述清洁头，并且收集器耦接到所述检测器。真空泵耦接到收集器。

附图简要说明

为了详细地理解本公开内容的上述特征，可以通过参考实施方式而获得上面简要概述的本公开内容的更具体的描述，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示示例性实施方式，因此不应视为限制本公开内容的范围，并且可允许其他同等有效的实施方式。

图1A～图1D是根据实施方式的清洁期间物体的示意性平面图。

图2是根据一个实施方式的清洁装置的示意性横截面图。

图3是图示根据实施方式的用于清洁物体的方法的操作的流程图。

为了便于理解，已尽可能使用相同的参考数字来表示图中共有的相同元件。可以预期的是，一个实施方式的元件和特征可以有利地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。

具体实施方式