[发明专利]基于计算量测的采样方案

说明书

一种用于生成针对图案化过程的量测采样方案的方法，所述方法包括：获取用于衬底的图案化过程的参数的参数图；由硬件计算机系统分解所述参数图以生成对所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合特定的指纹；和基于所述指纹，由所述硬件计算机系统，生成用于在所述图案化过程的设备和/或所述图案化过程的设备的组合处的后续衬底的量测采样方案，其中，所述采样方案被配置为在所述后续衬底上分布采样点，以便提高量测采样密度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年1月24日提交的欧洲申请18153189.8的优先权，以及于2018年8月20日提交的欧洲申请18189752.1的优先权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开涉及改善器件制造过程的性能的技术。所述技术可以与光刻设备或量测设备结合使用。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成与集成电路的单个层对应的电路图案，且此图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，单个衬底将包含被连续地曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器以及所谓的扫描器，在步进器中通过将整个图案一次性地曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描器中通过利用在给定方向(“扫描”方向)上的束扫描所述图案来照射每个目标部分的同时，同步地扫描与该方向平行或反向平行的衬底。

在将电路图案从图案形成装置转移到衬底之前，所述衬底可经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软焙烤。在曝光之后，衬底可经受其他工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及经转印电路图案的测量/检查。工序的阵列阵列用作用来制作器件(例如IC)的单个层的基础。然后，衬底可以经受各种过程，诸如蚀刻，离子注入(掺杂)，金属化，氧化，化学机械抛光等，所有这些都旨在完成器件的单个层。如果器件中需要若干层，则对每个层重复进行整个工序或其变型。最终，器件将呈现于所述衬底上的每个目标部分中。然后通过诸如切割或锯切之类的技术将这些器件彼此分离开，从而可以将各个单独器件安装在载体上，连接到引脚，等等。

因而，制造诸如半导体器件之类的器件通常涉及使用许多制备过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光(CMP)和离子注入来制造和处理这样的层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制造多个器件，且然后将它们分离成各个单独的器件。这种器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备中的图案形成装置来进行光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转印到衬底上，并且通常但可选地涉及一个或更多个相关的图案处理步骤，诸如由显影设备进行的抗蚀剂显影、使用焙烤工具进行的对衬底的焙烤、使用蚀刻设备蚀刻所述图案，等等。

每个单独的图案化过程步骤可能对跨越经处理的衬底上而获得的半导体器件的品质有其自身的特定影响。通常，每个图案化过程步骤可以与半导体器件的性质的特定空间指纹相关联(例如，在半导体器件的部位处的所述衬底的两层之间的重叠误差)。当将量测应用于经处理的衬底时，重要的是要正确捕获这些空间指纹，以便准确地确定各个图案化处理工具(诸如CMP、蚀刻机、光刻工具，等等)是否根据预期起作用(例如，它们的空间指纹没有漂移或显示出非预期的性质)。

发明内容

本发明的目的是确定用于在处理衬底上执行量测的采样方案，其允许准确地确定各个处理工具对由量测工具测量的参数的指纹的贡献。