[发明专利]分段式LED阵列结构在审
申请号: | 201880089899.5 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN111742420A | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 清水健太郎;久志増井;沈于甄;D·R·钱柏林;P·J·施米德特 | 申请(专利权)人: | 亮锐有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L25/075;H01L33/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈红红;闫小龙 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 段式 led 阵列 结构 | ||
1.一种方法,包括:
切割附接到载体层的波长转换层,以生成第一分段和第二分段,其中所述第一分段和所述第二分段的波长转换层之间是完全隔离的,并且所述第一分段和所述第二分段的载体层之间是部分隔离的;
将所述第一分段附接到第一发光设备以创建第一像素,并且将所述第二分段附接到第二发光设备以创建第二像素;
去除所述载体层的一部分,以允许所述第一像素和所述第二像素之间的完全隔离;
将光学隔离材料附接到所述第一像素和所述第二像素的暴露表面;以及
去除所述载体层和应用于所述第一像素和所述第二像素的所述载体层的暴露表面的所述光学隔离材料。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在切割附接到所述载体层的所述波长转换层之前,将所述波长转换层附接到所述载体层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过所述第一分段和所述第二分段的所述载体层之间的部分隔离来形成具有连接所述第一分段和所述第二分段的连续载体层的第一部分以及在所述第一分段和所述第二分段之间具有间隙的第二部分。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括在去除所述载体层的所述一部分之前固化所述第一像素和所述第二像素,以允许所述第一像素和所述第二像素之间的完全隔离。
5.根据权利要求1所述的方法,还包括在应用所述光学隔离材料之前,将所述第一像素和所述第二像素转移到聚酰亚胺胶带或研磨胶带中的至少一个上。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述波长转换层选自玻璃中的磷光体、硅树脂中的磷光体和磷光体陶瓷。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光学隔离材料是选自分布式布拉格反射器(DBR)、反射性材料和吸收性材料中的一种。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述载体层的热膨胀系数(CTE)与所述波长转换层的CTE基本匹配。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,使用原子层沉积(ALD)技术来应用所述光学隔离材料。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一像素小于500微米宽。
11.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述第一分段和所述第一发光设备之间附接牺牲层。
12.一种方法,包括:
部分切割波长转换层,以生成第一波长转换层分段和第二波长转换层分段并允许所述第一分段和所述第二分段之间的部分隔离,使得所述第一波长转换层分段和所述第二波长转换层分段通过连接波长转换层分段而连接;
将所述第一波长转换层分段附接到第一发光设备以创建第一像素,并且将所述第二波长转换层分段附接到第二发光设备以创建第二像素;
去除所述连接的波长转换层分段,以允许所述第一像素与所述第二像素之间的完全隔离;
将光学隔离材料应用到所述第一像素和所述第二像素的暴露表面;以及
从背离所述第一发光设备的表面去除所述第一波长转换层分段的牺牲部分和附接到所述牺牲部分的光学隔离材料,以暴露所述第一波长转换层分段的发射表面。
13.根据权利要求12所述的方法,其中,所述连接的波长转换层分段是连续的。
14.根据权利要求12所述的方法,还包括在去除所述连接的波长转换层分段之前固化所述第一像素和所述第二像素,以允许所述第一像素和所述第二像素之间的完全隔离。
15.根据权利要求12所述的方法,还包括在应用所述光学隔离材料之前,将所述第一像素和所述第二像素转移到聚酰亚胺胶带或研磨胶带中的至少一个上。
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