[发明专利]分段式LED阵列结构

说明书

波长转换层被部分切割以生成第一和第二波长转换层分段，并允许第一分段和第二分段之间的部分隔离，使得波长转换层分段通过连接的波长转换层来连接。第一和第二波长转换层分段分别附接到第一和第二发光设备，以创建第一和第二像素。去除连接的波长转换层分段，以允许第一像素和第二像素之间的完全隔离。将光学隔离材料应用到第一像素和第二像素的暴露表面，并且从背离第一发光设备的表面去除波长转换层分段的牺牲部分和附接到该牺牲部分的光学隔离材料，以暴露第一波长转换层分段的发射表面。

背景技术

精确控制照明应用可能需要生产和制造小型可寻址发光二极管（LED）像素系统。由于像素的小尺寸和系统之间的小沟道空间，制造这种LED像素系统可能需要材料的准确沉积。包括LED、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光设备属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光设备的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟以及氮的二元、三元以及四元合金，也被称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物、复合材料或其他合适的衬底上外延生长具有不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制备III族氮化物发光设备。该叠层通常包括形成在衬底上方的一个或多个掺杂有例如Si的n型层、形成在该一个或多个n型层上方的有源区中的一个或多个发光层、以及形成在该有源区上方的一个或多个掺杂有例如Mg的p型层。电气接触部在n型区和p型区上形成。

III族氮化物设备通常被形成为倒置或倒装芯片设备，其中n接触部和p接触部都形成在半导体结构的相同侧上，并且大部分光从半导体结构的与接触部相对的一侧被提取。

发明内容

对波长转换层进行部分切割以生成第一和第二波长转换层分段，并允许第一分段和第二分段之间的部分隔离，使得波长转换层分段通过连接的波长转换层连接。第一和第二波长转换层分段附接到第一和第二发光设备，以分别产生第一和第二像素。去除连接波长转换层分段，以允许第一像素和第二像素之间的完全隔离。将光学隔离材料应用到第一像素和第二像素的暴露表面，并且将波长转换层分段的牺牲部分和附接到该牺牲部分的光学隔离材料从背离第一发光设备的表面去除，以暴露第一波长转换层分段的发射表面。

附图说明

从下面的描述中可以得到更详细的理解，该描述是通过示例的方式结合附图给出的，在附图中：

图1A是具有分解部分的LED阵列的俯视图；

图1B是具有沟槽的LED阵列的截面图；

图1C是具有沟槽的另一LED阵列的透视图；

图1D是用于生成LED阵列中的像素的流程图；

图1E是生成LED阵列中的像素的截面图；

图1F是生成LED阵列中的像素的过程的另一流程图；

图1G是生成LED阵列中的像素的另一截面图；

图1H是LED阵列的截面图；

图2A是一个实施例中的具有LED阵列的电子板的俯视图，该LED阵列在LED设备附接区域处附接到衬底；

图2B是具有安装在电路板的两个表面上的电子部件的两通道集成LED照明系统的一个实施例的图；

图2C是示例车辆前照灯系统；以及

图3示出了示例照亮系统。

具体实施方式