[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

权利要求书

1.一种清洁方法，具有在处理容器内进行了在基板上形成膜的处理后，向所述处理容器内供给清洁气体将附着在所述处理容器内的堆积物除去的工序；

所述除去堆积物的工序中，依次反复进行以下工序：

向所述处理容器内供给所述清洁气体直至所述处理容器内达到预定的第一压力的第一工序，

停止供给所述清洁气体，将所述处理容器内的所述清洁气体和由所述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序，和

将所述处理容器内维持在比所述第一压力低的第二压力以下，同时，对连接所述处理容器和真空泵的排气管进行冷却的第三工序；

在所述第三工序中，在从所述第二工序向所述第三工序转换时的所述排气管的温度为比高于第一温度的第二温度更高时，持续进行所述冷却直至所述排气管的温度达到所述第一温度以下，在所述排气管的温度为所述第二温度以下时，不持续进行至达到所述第一温度以下而以预定时间完成所述冷却。

2.如权利要求1所述的清洁方法，其中，

在所述第三工序中，通过使所述清洁气体和所述反应生成物在所述排气管中的暴露比所述第一工序和所述第二工序少来使所述排气管自然冷却，

除了紧急时刻之外，所述第一工序和所述第二工序各自以预先决定的时间进行。

3.如权利要求1或2所述的清洁方法，其中，

所述第一工序包括：在以固定流量持续供给所述清洁气体的同时由真空泵进行排气以维持所述第一压力的动作，

所述第三工序中使用设置在所述排气管的温度检测器来测定所述排气管的温度，

所述第一工序和所述第三工序中，使用设置在所述排气管的压力调整器来进行压力调整；

所述处理容器构成为具有：

筒部，在上端具有闭塞部、在下端具有开口部，

气体供给区域，其形成在所述筒部的一侧壁的外侧，且与供给清洁气体的气体供给系统连接，以及

气体排气区域，其形成在与所述气体供给区域相对的所述筒部的另一侧壁的外侧，且与对所述处理容器内的气氛进行排气的排气系统连接。

4.如权利要求1至3任一项所述的清洁方法，其中，

所述第二温度是低于在所述排气管中产生腐蚀的温度的温度。

5.如权利要求1至4任一项所述的清洁方法，其中，

所述第三工序中，对所述排气管进行自然冷却，或者通过对所述排气管内供给非活性气体来对所述排气管进行强制冷却。

6.如权利要求1至4任一项所述的清洁方法，其中，

所述清洁气体是氟气体和一氧化氮气体的混合气体，

所述堆积物是碳氮氧化硅膜。

7.一种半导体装置的制造方法，具有：

向处理容器内供给清洁气体，将附着在所述处理容器内的堆积物除去的工序，和

在所述处理容器内进行在基板上形成膜的处理的工序；

在所述除去堆积物的工序中，依次反复进行以下工序：

向所述处理容器内供给所述清洁气体，同时由真空泵进行排气来维持预定的第一压力的第一工序，

停止供给所述清洁气体，将所述处理容器内的所述清洁气体和由所述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序，和

将所述处理容器内维持在比所述第一压力低的第二压力以下，同时，对连接所述处理容器和所述真空泵的排气管进行冷却的第三工序；

在所述第三工序中，在从所述第二工序向所述第三工序转换时的所述排气管的温度为比高于第一温度的第二温度更高时，持续进行所述冷却直至所述排气管的温度达到所述第一温度以下，在所述排气管的温度为所述第二温度以下时，不持续进行至达到所述第一温度以下而以预定时间完成所述冷却。