[发明专利]清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序

说明书

具有在处理容器内进行了在基板上形成膜的处理后，向上述处理容器内供给清洁气体将附着在上述处理容器内的堆积物除去的工序；在上述除去堆积物的工序中，依次反复进行：在向上述处理容器内供给上述清洁气体的同时由真空泵进行排气以维持预定的第一压力的第一工序，停止供给上述清洁气体并对上述处理容器内的上述清洁气体和由上述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序以及在维持上述处理容器内为比上述第一压力低的第二压力以下的同时对连接上述处理容器和上述真空泵的排气管进行冷却的第三工序；上述第三工序中，在上述排气管的温度达到上述第二温度以下时，不持续进行至达到上述第一温度以下而以预定时间完成上述冷却。

技术领域

本公开涉及清洁方法、基板处理装置以及程序。

背景技术

作为半导体设备、集成电路(以下称为电子设备等)的制造工序的一个工序，有对处理室内的基板供给原料气体、反应气体来进行在基板上形成膜的成膜处理。如果进行成膜处理，就会在处理室内附着堆积物。为此，已知有交替反复进行以下工序的清洁方法：在进行了成膜处理后，对处理基板的处理室内供给清洁气体，经由排气管将上述处理室内的上述清洁气体进行排气来对上述处理室内进行清洁的工序，以及，通过维持使上述清洁气体向上述排气管内的流通实质性停止的状态，从而对上述排气管进行冷却的工序(例如，日本特开2016-012701号公报)。

发明内容

发明要解决的课题

如果要进行上述的清洁处理，在对排气管进行冷却的工序中毎次都会产生等待冷却的时间，因而清洁处理中消耗时间。

本公开是鉴于这种情况而完成的公开，其目的在于，提供一种能够提高电子设备等的制造生产率的技术。

解决课题的方法

根据本公开的一个方案，提供一种技术，具有在处理容器内进行了在基板上形成膜的处理后，向上述处理容器内供给清洁气体将附着在上述处理容器内的堆积物除去的工序，

在上述除去堆积物的工序中，依次反复进行以下工序：

向上述处理容器内供给上述清洁气体，同时由真空泵进行排气来维持预定的第一压力的第一工序，

停止供给上述清洁气体，对上述处理容器内的上述清洁气体和由上述清洁气体引起的反应生成物进行排气的第二工序，和

将上述处理容器内维持在比上述第一压力低的第二压力以下，同时，对与上述处理容器和上述真空泵连接的排气管进行冷却的第三工序；

在上述第三工序中，在从上述第二工序向上述第三工序转换时的上述排气管的温度为比高于第一温度的第二温度更高时，持续进行上述冷却直至上述排气管的温度达到上述第一温度以下，在上述排气管的温度为上述第二温度以下时，不持续进行至达到上述第一温度以下而以预定时间完成上述冷却。

发明效果

根据本公开，能够提高电子设备等的制造生产率。

附图说明

[图1]是概略性显示本公开的实施方式中适合使用的基板处理装置的一例的纵截面图。

[图2]是本公开的实施方式中适合使用的基板处理装置的一部分的概略构成图，是反应管的横截面图。

[图3]是说明本公开的实施方式中适合使用的控制部的图。

[图4]是显示本公开的一个实施方式的成膜顺序中的气体供给的时机的图。

[图5]是显示本公开的一个实施方式的第一清洁中的处理时机、气体供给时机、反应室的压力和排气管的温度的图。

[图6]是显示本公开的一个实施方式的第一清洁中的处理时机、气体供给时机和排气管的温度的图。