[发明专利]多电压充电装置

权利要求书

1.一种多电压充电装置，包括：

第一隔室和第二隔室，所述第一隔室和所述第二隔室被限定在至少一个壳体中；

第一访问门，所述第一访问门连接到所述至少一个壳体且覆盖所述第一隔室，所述第一访问门能够从打开位置移动到关闭位置；

第二访问门，所述第二访问门连接到所述至少一个壳体且覆盖所述第二隔室，所述第二访问门能够从打开位置移动到关闭位置；

第一可释放闩锁机构，所述第一可释放闩锁机构被配置为将所述第一访问门闩锁在所述关闭位置；

第二可释放闩锁机构，所述第二可释放闩锁机构被配置为将所述第二访问门闩锁在所述关闭位置；

第一充电端子，所述第一充电端子位于所述第一隔室中；

第二充电端子，所述第二充电端子位于所述第二隔室中；

电压感测端子；以及

门释放电路，所述门释放电路联接到所述电压感测端子以及所述第一可释放闩锁机构和所述第二可释放闩锁机构，并且被配置为感测施加到所述电压感测端子的充电电压；

其中，所述门释放电路被配置为：响应于第一电压被施加到所述电压感测端子而选择性地解锁所述第一可释放闩锁机构，并且响应于第二电压被施加到所述电压感测端子而选择性地解锁所述第二可释放闩锁机构，所述第二电压不同于所述第一电压。

2.根据权利要求1所述的多电压充电装置，其中，所述第一可释放闩锁机构包括第一螺线管，并且所述第二可释放闩锁机构包括第二螺线管。

3.根据权利要求2所述的多电压充电装置，其中，所述门释放电路包括：

电压调节器，所述电压调节器被配置为供应第三电压；和

感测节点，所述感测节点联接到所述电压感测端子。

4.根据权利要求3所述的多电压充电装置，其中，所述门释放电路还包括：

第一晶体管开关，所述第一晶体管开关具有联接到所述第一螺线管的输出端子、和联接到所述感测节点的控制端子；和

第二晶体管开关，所述第二晶体管开关与所述第一晶体管开关串联联接，所述第二晶体管开关具有联接到所述电压调节器的输入端子、联接到所述第一晶体管开关的输入端子的输出端子、以及联接到所述感测节点的控制端子。

5.根据权利要求4所述的多电压充电装置，其中，所述第一晶体管开关包括被配置为响应于第一电压被施加到所述感测节点而截止的耗尽型MOSFET，并且其中，所述第二晶体管开关包括被配置为响应于第二电压被施加到所述感测节点而导通的增强型MOSFET，其中，所述第一电压高于所述第二电压。

6.根据权利要求5所述的多电压充电装置，还包括：

第三晶体管开关，所述第三晶体管开关具有联接到所述第二螺线管的输出端子、和联接到所述感测节点的控制端子；

第四晶体管开关，所述第四晶体管开关与所述第三晶体管开关串联联接，所述第四晶体管开关具有联接到所述电压调节器的输入端子、联接到所述第三晶体管开关的输入端子的输出端子、以及联接到所述感测节点的控制端子。

7.根据权利要求6所述的多电压充电装置，其中，所述第三晶体管开关包括被配置为响应于第三电压被施加到所述感测节点而截止的耗尽型MOSFET，并且其中，所述第四晶体管开关包括被配置为响应于第四电压被施加到所述感测节点而导通的增强型MOSFET，其中，所述第三电压高于所述第四电压，并且其中，所述第二电压高于所述第三电压。

8.根据权利要求7所述的多电压充电装置，其中，所述第一晶体管开关和所述第二晶体管开关被布置成：当施加到所述感测节点的电压大于所述第二电压且小于所述第一电压时，将所述电压调节器输出的所述第三电压施加到所述第一螺线管。

9.根据权利要求8所述的多电压充电装置，其中，所述第三晶体管开关和所述第四晶体管开关被布置成：当施加到所述感测节点的电压大于所述第四电压且小于所述第三电压时，将所述电压调节器输出的所述第三电压施加到所述第二螺线管。