[发明专利]具有面积减小的磷光体发射表面的分段式LED阵列架构

权利要求书

1. 一种器件，包括：

外延层上的波长转换层，所述波长转换层包括宽度等于所述外延层的宽度的第一表面、宽度小于所述第一表面的宽度的第二表面以及成角度的侧壁；和

所述成角度的侧壁和所述外延层的侧壁上的保形非发射层，使得所述波长转换层的第二表面暴露。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述外延层包括接触层上的p型区、所述p型区上的有源区和所述有源区上的n型区。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换层包括磷光体。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换层直接形成在所述外延层的第一表面上。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述外延层的第一表面包括来自图案化蓝宝石衬底的图案。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述保形非发射层包括反射材料。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述成角度的侧壁相对于所述外延层的第一表面具有在大约30度至大约60度之间的角度。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括：

在所述外延层和所述波长转换层之间的生长衬底。

9. 根据权利要求1所述的器件，还包括：

在所述外延层的远离所述波长转换层的第二表面上的第一接触层；和

所述接触部上的结合层，所述结合层形成在包括硅、陶瓷、AlN和氧化铝中的一种或多种的底座上。

10. 一种形成器件的方法，所述方法包括：

在外延层上形成波长转换，所述波长转换层包括宽度等于所述外延层的宽度的第一表面、宽度小于所述第一表面的宽度的第二表面以及成角度的侧壁；和

在所述成角度的侧壁和所述外延层的侧壁上形成保形非发射层，使得所述波长转换层的第二表面暴露。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述外延层包括接触层上的p型区、所述p型区上的有源区和所述有源区上的n型区。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述波长转换层包括磷光体。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述波长转换层直接形成在所述外延层的第一表面上。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述外延层的第一表面包括来自图案化蓝宝石衬底的图案。

15.根据权利要求10所述的方法，其中所述保形非发射层包括一个或多个分布式布拉格反射器（DBR）层。

16.根据权利要求10所述的方法，其中所述成角度的侧壁相对于所述外延层的第一表面具有在大约30度至大约60度之间的角度。

17. 根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述外延层的远离所述波长转换层的第二表面上形成第一接触层；和

在所述接触部上形成结合层，所述结合层形成在包括硅、陶瓷、AlN和氧化铝中的一种或多种的底座上。

18. 一种发光二极管（LED）阵列，包括：

第一像素上的第一波长转换层；和

第二像素上的第二波长转换层，所述第一波长转换层和所述第二波长转换层各自包括宽度等于所述第一像素和所述第二像素的宽度的第一表面、宽度小于所述第一表面的宽度的第二表面以及成角度的侧壁；和

所述成角度的侧壁上的保形非发射层，使得所述第一波长转换层的第二表面和所述第二波长转换层的第二表面暴露。