[发明专利]具有面积减小的磷光体发射表面的分段式LED阵列架构

说明书

一种器件包括外延层（122）上的波长转换层（130）。波长转换层（130）包括宽度等于外延层（122）的宽度的第一表面（132）、宽度小于第一表面（132）的宽度的第二表面（136）以及成角度的侧壁（138）。保形非发射层（140）形成在成角度的侧壁（138）和外延层（122）的侧壁（142）上，使得波长转换层（130）的第二表面（136）暴露。还公开了一种形成所述器件和包括多个所述器件的发光二极管（LED）阵列的方法。

相关应用的交叉引用

本申请要求2017年12月21日提交的第62/609030号美国临时申请、2018年3月1日提交的第18159512.5号欧洲专利申请和2018年12月19日提交的第16/226226号美国非临时申请的权益，其内容在此通过引用并入本文。

背景技术

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件跻身于当前可用的最有效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中，当前感兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为III族氮化物材料。

通常，通过由金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他合适的衬底上外延生长具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制造III族氮化物发光器件。该堆叠常常包括在衬底之上形成的用例如硅掺杂的一个或多个n型层、在该一个或多个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在该有源区之上形成的用例如镁掺杂的一个或多个p型层。在n型区和p型区上形成电接触部。。

发明内容

器件可以包括外延层上的波长转换层。波长转换层可以包括宽度等于外延层的宽度的第一表面、宽度小于第一表面的宽度的第二表面以及成角度的侧壁。保形非发射层可以形成在成角度的侧壁和外延层的侧壁上，使得波长转换层的第二表面暴露。

附图说明

从下面的描述中可以得到更详细的理解，下面的描述是结合附图作为示例给出的，在附图中：

图1A是具有分解部分的LED阵列的俯视图图示；

图1B是具有沟槽的LED阵列的截面图示；

图1C是具有沟槽的另一LED阵列的透视图示；

图1D是像素的截面图；

图1E示出了在外延层上形成的预先形成的波长转换层；

图1F示出了应用于外延层的波长转换层；

图1G示出了在波长转换层和外延层上形成非发射层；

图1H示出了去除非发射层的一部分以暴露波长转换层的上表面；

图1I示出了图1D-1H的替代示例，其中生长衬底留在外延层上；

图1J示出了在外延层上形成的波长转换层；

图1K示出了应用于外延层的波长转换层；

图1L示出了去除波长转换层的部分以形成成角度的侧壁；

图1M示出了在波长转换层和外延层上形成非发射层；

图1N示出了去除非发射层的一部分以暴露波长转换层的上表面；

图1O示出了直接在外延层的上表面上形成波长转换层；

图1P示出了去除波长转换层的部分以形成成角度的侧壁；

图1Q示出了在波长转换层和外延层上形成非发射层；

图1R示出了去除非发射层的一部分以暴露波长转换层的上表面；