[发明专利]晶片的制造方法在审
申请号: | 201880090100.4 | 申请日: | 2018-02-21 |
公开(公告)号: | CN111758152A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 田中利幸;桥本靖行 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B7/04;B24B27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;王玮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 制造 方法 | ||
1.一种晶片的制造方法,磨削使用线锯装置将单晶锭切片而得到的晶片,所述晶片的制造方法具备:
第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序以及第3平面磨削工序,
所述第1树脂粘贴磨削工序具备:
第1涂层形成工序,在所述晶片的整个第二面涂布固化性材料而形成平坦的第1涂层;
第1平面磨削工序,以所述第1涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式,将所述晶片载置于所述工作台,接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片的第一面;以及
第1涂层去除工序,从所述晶片的第二面去除所述第1平面磨削工序后的所述第1涂层,
所述第2树脂粘贴磨削工序具备:
第2涂层形成工序,在所述晶片的整个第一面涂布固化性材料而形成平坦的第2涂层;
第2平面磨削工序,以所述第2涂层抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式,将所述晶片载置于所述工作台,接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片的第二面;以及
第2涂层去除工序,从所述晶片的第一面去除所述第2平面磨削工序后的所述第2涂层,
所述第3平面磨削工序中,
以最后进行平面磨削的面抵接于磨削装置的工作台的基准面的方式,将所述晶片载置于所述工作台,接着通过所述磨削装置平面磨削所述晶片中的与抵接于所述基准面的面相反的一侧的面。
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法,其中,
在所述第2树脂粘贴磨削工序与所述第3平面磨削工序之间,
进一步仅进行所述第1树脂粘贴磨削工序,或
进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序及所述第2树脂粘贴磨削工序以该顺序至少重复进行1次,或
进一步将所述第1树脂粘贴磨削工序及所述第2树脂粘贴磨削工序以该顺序至少重复进行1次,最后进行所述第1树脂粘贴磨削工序。
3.根据权利要求1所述的晶片的制造方法,其中,
所述第1树脂粘贴磨削工序中的磨削量为所述第3平面磨削工序中的磨削量以上。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片的制造方法,其中,
所述线锯装置是使用固定磨粒线材的切片方式。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的晶片的制造方法,其中,
所述晶片的直径为300mm以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造