[发明专利]晶片的制造方法

说明书

本发明的晶片的制造方法具备第1树脂粘贴磨削工序、第2树脂粘贴磨削工序及第3平面磨削工序，第1树脂粘贴磨削工序具备：第1涂层形成工序，在晶片的整个第二面形成第1涂层；第1平面磨削工序，以第1涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削晶片的第一面；以及第1涂层去除工序,去除第1涂层，第2树脂粘贴磨削工序具备：第2涂层形成工序,在整个第一面形成第2涂层；第2平面磨削工序,以第2涂层抵接于工作台的基准面的方式载置晶片并且平面磨削第二面；以及第2涂层去除工序，去除第2涂层，在第3平面磨削工序中，以最后进行平面磨削的面抵接于工作台的基准面的方式载置晶片，并且平面磨削晶片中的与抵接于基准面的面相反的一侧的面。

技术领域

本发明涉及一种晶片的制造方法。

背景技术

以往，关于晶片，为了以照相雕刻制作细微的图案，要求对晶片正面进行平坦化。尤其被称作“纳米形貌”的正面起伏具有波长λ=0.2mm～20mm的成分，是PV值（Peak toValley值：峰谷值）0.1μm～0.2μm以下的起伏，最近，提出通过降低该纳米形貌提高晶片的平坦度的技术（例如，参考专利文献1及专利文献2）。

专利文献1的制造方法包括以树脂覆盖从锭切出的晶片的整个第一面的树脂涂布工序以及保持晶片的第一面且磨削晶片的第二面，然后保持晶片的第二面且磨削晶片的第一面的工序。

专利文献2的制造方法中，在晶片的第二面涂布固化性树脂，将该固化性树脂加工至平坦并使其固化后，保持固化性树脂的平坦面，磨削晶片的第一面，然后，去除固化性树脂。并且，以下，有时将该技术称作“树脂粘贴磨削”。接着，保持树脂粘贴磨削后的晶片的第一面，磨削第二面。然后，反覆进行树脂粘贴磨削以及通过该树脂粘贴磨削未被磨削的面的平面磨削。

另一方面，作为将单晶锭切片的方法，为了可靠地向单晶锭的圆筒中心附近供给磨粒，不采用向线材供给包含磨粒的切削液的游离磨粒方式，而是采用通过线材外周面固定有磨粒的固定磨粒线锯切片的方式（例如，专利文献3）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平08-066850号公报

专利文献2：日本特开2015-008247号公报

专利文献3：日本特开2010-074056号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

上述专利文献1所示的基于树脂涂布处理的磨削工序中，由于维持晶片的起伏、弯曲的状态下进行树脂涂布处理，因此有因由树脂厚度差异引起的树脂部的弹性变形量大小而导致起伏残留的问题。

并且，上述专利文献2中，通过将树脂粘贴磨削与平面磨削以该顺序重复进行，虽然可去除起伏，但由于重复进行晶片的双面磨削，因此最低也需要进行4次磨削工序，从而有生产率低的问题。

并且，以往即使在晶片正面残留有起伏，也会以在利用在树脂涂布工序中涂布于晶片正面上的树脂制造出平坦的基准面的状态下去除起伏的方式进行磨削处理，因此未将进行切片时的晶片的正面状态视为问题。但是，根据本发明的发明人的实验，发现即使进行如专利文献1中所记载的树脂涂布处理，镜面抛光处理后的晶片正面的纳米形貌品质也不充分。

而且，发现如专利文献3所示，在切片工序中，当使用固定磨粒线材时，对晶片的加工损伤很大，在切断后的晶片正面上发生的起伏也变得非常大，因此有纳米形貌更恶化的问题。

本发明的目的在于提供一种能够在不降低生产率的条件下制造出纳米形貌特性优异的晶片的晶片制造方法。

用于解决技术问题的方案