[发明专利]多配置数字光刻系统

说明书

本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统，所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。大面积基板和半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地，所述系统可适应不同水平的曝光，以在所述基板上方形成特征。例如，所述系统可适应非常精确的特征图案化以及不太精确的特征图案化。不同曝光可在同一腔室中同时发生。因此，所述系统能够在同时处理所述半导体器件基板和所述大面积基板两者的同时，还同时适应非常精确的特征图案化和不太精确的特征图案化。

技术领域

本公开内容的实施方式总体涉及用于处理一个或多个基板的设备、系统和方法，并且更具体地，涉及用于执行光刻工艺的设备、系统和方法。

背景技术

光刻技术广泛地用来制造半导体器件和显示装置，诸如液晶显示器(LCD)。通常利用大面积基板进行LCD的制造。相反地，通常为圆形或至少部分圆形的较小基板被用于制造半导体器件，或者在一些情况下，制造比常规LCD小得多的器件。这些器件，无论是显示装置还是半导体器件，通常都具有在基板上方精确形成的小特征。

已经采用微光刻技术来创建特征，以用于在基板上形成特征。根据这些技术，将光敏光刻胶施加到基板的至少一个表面。接着，图案生成器用光曝光作为图案的一部分的光敏光刻胶的选定区域，以导致选定区域中的光刻胶的化学变化，从而准备这些选定区域以进行后续材料去除和/或材料添加工艺，以形成电特征。

为了继续以消费者需求的价格提供装置，需要在基板上精确地且成本有效地形成图案的新的设备和方法。

发明内容

本公开内容的实施方式总体提供一种数字光刻系统，所述数字光刻系统可处理大面积基板以及诸如晶片的半导体器件基板两者。所述大面积基板和所述半导体器件基板两者可在同一系统中被同时处理。另外地，所述系统可适应不同水平的曝光，以在所述基板上方形成特征。例如，所述系统可适应非常精确的特征图案化以及不太精确的特征图案化。不同曝光可在同一腔室中同时发生。因此，所述系统能够在同时处理所述半导体器件基板和所述大面积基板两者的同时，还同时适应非常精确的特征图案化和不太精确的特征图案化。

在一个实施方式中，一种系统，包含：第一图像投影设备，其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率；第二图像投影设备，其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率；和基板支撑件，所述基板支撑件是能够移动的，以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方。

在另一个实施方式中，一种系统，包含：第一图像投影设备，其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率；第二图像投影设备，其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率；基板支撑件，所述基板支撑件是能够移动的，以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方，其中所述第一分辨率是精细分辨率，并且所述第二分辨率是常规分辨率；和卡盘，所述卡盘设置在所述基板支撑件上。

在另一个实施方式中，一种系统，包含：第一图像投影设备，其中所述第一图像投影设备能够将基板曝光至第一分辨率；第二图像投影设备，其中所述第二图像投影设备能够将所述基板曝光至与所述第一分辨率不同的第二分辨率；和基板支撑件，所述基板支撑件是能够移动的，以将所述基板定位在所述第一图像投影设备和所述第二图像投影设备下方，其中所述第一分辨率是精细分辨率，并且所述第二分辨率是常规分辨率，其中所述第一图像投影设备包括DMD。

附图说明

为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可参考实施方式来获得上文简要概述的本公开内容的更特定的描述，其中一些实施方式在附图中例示。然而，应注意，附图仅例示了本公开内容的典型实施方式，并因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他等效实施方式。

图1A是根据本文中公开的实施方式的光刻系统的透视图。